[發明專利]用于在大襯底上執行原子層沉積的具有多個分段的延伸反應器組件

無效

• 申請號: 201180053040.7
• 申請日: 2011-11-11
• 公開（公告）號: CN103189543A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 李相忍
• 申請（專利權）人: 思諾斯技術公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種在用于執行原子層沉積(ALD)的沉積設備中的反應器組件，包括：

游離基反應器，包括：

本體，與襯底被裝配于其上的基座相鄰放置，所述本體形成有在所述游離基反應器的縱向延伸第一距離的第一反應器分段中的第一等離子體室和在縱向延伸第二距離的第二反應器分段中的第二等離子體室；

第一內電極，在所述第一等離子體室內延伸，所述第一內電極被配置用于通過跨所述第一內電極和第一外電極施加電壓差在所述第一等離子體室內生成第一氣體的游離基；以及

第二內電極，在所述第二等離子體室內延伸，所述第二內電極被配置用于通過跨所述第二內電極和第二外電極施加電壓差在所述第二等離子體室內生成所述第一氣體的游離基。

2.根據權利要求1所述的反應器組件，其中所述本體還形成有：

注入室，連接到所述第一等離子體室和所述第二等離子體室以接收所述游離基，其中從所述注入室向所述襯底上注入所述游離基；

收縮區，具有比所述注入室的高度更低的高度；以及

至少一個出口，連接到所述收縮區，所述至少一個出口被配置用于從所述反應器組件排出所述游離基。

3.根據權利要求1所述的反應器組件，其中所述第一等離子體室形成于所述注入室的一側處，并且所述第二等離子體室形成于所述注入室的另一側處。

4.根據權利要求1所述的反應器組件，其中所述本體還形成有在所述第一反應器分段中的第一反應器通道和在所述第二反應器分段中的第二反應器通道，所述第一反應器通道經由第一管道連接到氣體源，并且所述第二反應器通道經由與所述第一管道分開的第二管道連接到所述氣體源。

5.根據權利要求1所述的反應器組件，其中所述本體還形成有用于從所述反應器組件排出所述游離基的至少兩個出口，所述至少兩個出口中的兩個出口具有在所述兩個出口之間的位置處接合的內表面。

6.根據權利要求1所述的反應器組件，還包括注入器，所述注入器形成有：

在所述注入器的第一注入器分段中的第一注入器通道，用于經由第一管道接收第二氣體；

在所述注入器的第二注入器分段中的第二注入器通道，用于經由第二管道接收所述第二氣體；

連接到所述第一注入器通道和所述第二注入器通道的室，用于接收所述氣體并且向所述襯底上注入所述氣體，至少一個出口用于從所述反應器組件排出所述氣體；以及

收縮區，將所述室連接到所述至少一個出口，所述收縮區具有比所述注入室的高度更低的高度。

7.根據權利要求6所述的反應器組件，其中所述第一注入器通道形成于所述室的一側處，并且所述第二注入器通道形成于所述室的另一側處。

8.根據權利要求1所述的反應器組件，其中所述反應器組件的有效長度大于所述襯底的寬度。

9.根據權利要求1所述的反應器組件，其中所述第一內電極包括芯和外層，所述芯由第一材料制成，所述第一材料具有與所述外層的第二材料相比的更高傳導率。

10.根據權利要求9所述的反應器組件，其中所述第一材料包括銅、銀或者其合金；并且所述第二材料包括不銹鋼、基于奧氏體鎳-鉻的超合金或者鎳鋼合金。

11.一種用于使用原子層沉積(ALD)在襯底上沉積一個或者多個材料層的沉積裝置，包括：

基座，被配置用于裝配襯底；

游離基反應器，包括：

本體，與所述基座相鄰放置，所述本體形成有在所述游離基反應器的縱向延伸第一距離的第一反應器分段中的第一等離子體室和在縱向延伸第二距離的第二反應器分段中的第二等離子體室；

第一內電極，在所述第一等離子體室內延伸，所述第一內電極被配置用于通過跨所述第一內電極和第一外電極施加電壓差在所述第一等離子體室內生成第一氣體的游離基；以及

第二內電極，在所述第二等離子體室內延伸，所述第二內電極被配置用于通過跨所述第二內電極和第二外電極施加電壓差在所述第二等離子體室內生成所述第一氣體的游離基；以及致動器，被配置用于引起在所述基座與所述游離基反應器之間的相對移動。