[發明專利]測繪氧濃度的方法

有效

• 申請號: 201180052914.7
• 申請日: 2011-08-30
• 公開（公告）號: CN103189740A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: J.維爾曼;S.杜博伊斯;N.恩加爾波特
• 申請（專利權）人: 原子能和代替能源委員會
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種通過熱施主濃度（N_TDD）確定由半導體材料制成的樣品的氧濃度（C_O）的方法，包括如下步驟：

a）使所述樣品經受熱處理以形成熱施主（TDD）（F1），

其特征在于，該方法還包括如下步驟：

b）測量所述樣品的一區域中的電阻率（ρ）（F2），

c）通過以下確定所述熱施主濃度（N_TDD）（F3）：

-通過添加四倍于所述熱施主濃度（N_TDD）的離子化摻雜雜質濃度，依據離子化摻雜雜質濃度（N_A、N_D）表示的電荷載流子遷移率（μ）的關系式，和

-所測量的電阻率值。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，表示遷移率的關系式被寫成：

μ=μminTnβ1+(μmax-μmin)Tnβ21+(NA/D+4×NTDDNrefTnβ3)αTnβ4]]>，其中：

T_n等于T/300，T是溫度，

N_A/D是該樣品的離子化摻雜雜質濃度，

N_TDD是該熱施主濃度，

α、β1、β2、β3、β4、μ_max、μ_min、N_ref是根據電荷載流子性質的常量參數。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該熱處理的持續時間（t）為使該樣品的電阻率（ρ）相對于其初始值變化至少10%。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，該熱處理的持續時間（t）的范圍在1分鐘和1000分鐘之間。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該方法初始包括在大于或等于650°C的溫度下的熱處理的步驟（F0）。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，該方法包括通過電阻率測量確定該樣品的摻雜雜質濃度（N_A、N_D）（F0’）。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該方法包括在已經確定氧濃度（C_o）之后，在大于或等于650°C的溫度下的熱處理的步驟（F5）。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在該樣品的數個區域中重復步驟b）和步驟c）以執行測繪。