[發明專利]III族氮化物發光器件

無效

• 申請號: 201180052905.8
• 申請日: 2011-10-27
• 公開（公告）號: CN103180973A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: M.J.格倫德曼恩;N.F.加德納;W.K.戈伊茨;M.B.麥克勞林;J.E.埃普勒;F.A.利昂
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32;H01L21/02;H01S5/02;H01S5/183;H01S5/343;H01L33/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李亞非;汪揚

1.?一種方法，包括：

生長一種生長在襯底上的III族氮化物結構，該III族氮化物結構包括布置在n型區域和p型區域之間的發光層；

將該III族氮化物結構附著到載具；以及

移除該襯底，其中：

該襯底為RAO₃(MO)_n，其中R為三價陽離子Sc、In、Y和鑭系元素其中之一；A為三價陽離子Fe(III)、Ga和Al其中之一；M為二價陽離子Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd其中之一；并且n為≥1的整數；

該襯底具有面內晶格常數a_襯底；

該III族氮化物結構中的至少一個III族氮化物層具有體晶格常數a_層；以及

[(|a_襯底-a_層|)/a_襯底]*100%不大于1%。

2.?根據權利要求1的方法，其中：

該III族氮化物結構包括一種僅僅包括三元、四元和/或五元III族氮化物層的區域；以及

所述僅僅包括三元、四元和/或五元III族氮化物層的區域厚于2μm。

3.?根據權利要求1的方法，其中該襯底為ScAlMgO₄。

4.?根據權利要求1的方法，其中該III族氮化物結構包括晶格匹配到該襯底的至少一個層。

5.?根據權利要求1的方法，其中該III族氮化物結構包括第一層，該第一層直接接觸第二層，其中第一層和第二層之間的界面不具有極性電荷。

6.?根據權利要求5的方法，其中該第一層為Al_0.06In_0.17Ga_0.77N并且該第二層為In_0.14Ga_0.86N。

7.?根據權利要求1的方法，其中生長包括生長布置在該襯底和該發光層之間的基底區域，該基底區域包括接近該襯底的第一層和接近該發光層的第二層，其中第一層的帶隙大于第二層。

8.?根據權利要求7的方法，其中：

該襯底為ScAlMgO₄；

該第一層為下述的其中之一：In_0.14Ga_0.86N；以及晶格匹配到襯底的四元Al_xIn_yGa_1-x-yN，組成x和y滿足關系y=0.136+0.228*x，x+y≤1；以及

該第二層為下述的其中之一：Al_0.06In_0.17Ga_0.77N、Al_0.6In_0.13Ga_0.27N和四元層Al_xIn_yGa_1-x-yN，銦組成y在0.14和0.32之間，滿足x=2*y-0.28。

9.?根據權利要求1的方法，其中生長包括生長布置在該襯底和該發光層之間的基底區域，該基底區域包括接近該襯底的第一層和接近該發光層的第二層，其中第一層的極化不同于第二層。

10.?根據權利要求9的方法，其中：

該襯底為ScAlMgO₄；

該第一層為下述的其中之一：In_0.14Ga_0.86N；以及晶格匹配到襯底的四元Al_xIn_yGa_1-x-yN，組成x和y滿足關系y=0.136+0.228*x，x+y≤1；以及

該第二層為下述的其中之一：GaN；In_yGa_1-yN，y<0.13；Al_0.5In_0.25Ga_0.25N；晶格匹配到襯底的四元Al_xIn_yGa_1-x-yN層；和In_0.29Al_0.71N。