[發明專利]形成復合襯底的方法

無效

• 申請號: 201180052885.4
• 申請日: 2011-10-26
• 公開（公告）號: CN103180495A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: N.F.加德納;M.B.麥勞林;M.J.格倫德曼恩;W.戈依茨;J.E.埃普勒;Q.葉
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B23/02;C30B25/18;C30B33/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉鵬;汪揚

1.一種方法，包括：

在生長襯底上生長III族氮化物層；其中

所述生長襯底是非III族氮化物材料；

所述生長襯底具有面內晶格常數a_襯底；

所述III族氮化物層具有體晶格常數a_層；并且

[(|a_襯底–a_層|)/a_襯底]*100%不超過1%；

將所述III族氮化物層連接至基質襯底；以及

移除所述生長襯底。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述生長襯底是ScAlMgO₄，并且所述III族氮化物層是InGaN。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述生長襯底是RAO₃(MO)_n，其中R選自Sc、In、Y、以及鑭系元素；A選自Fe(III)、Ga、以及Al；M選自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn以及Cd；并且n是≥1的整數。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述III族氮化物層是InGaN和AlInGaN中的一者。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述III族氮化物層是In_xGa_1-xN，其中0.06≤x≤?0.48。

6.根據權利要求1所述的方法，其中連接包括通過布置在所述III族氮化物層與所述基質襯底之間的接合層的接合。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述接合層是非III族氮化物材料、SiO_x、和SiN_x中的一者。

8.根據權利要求6所述的方法，其中：

所述III族氮化物層是InGaN；

所述接合層是SiO_x；并且

所述基質襯底是藍寶石。

9.根據權利要求1所述的方法，其中生長包括生長使得所述III族氮化物層的頂表面是所述III族氮化物層的V族面，并且所述III族氮化物層的最接近所述生長襯底的底表面是所述III族氮化物層的III族面。

10.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在所述III族氮化物層上生長結構，所述結構包括布置在n型區域與p型區域之間的III族氮化物發光層。

11.根據權利要求10所述的方法，進一步包括在生長包括布置在n型區域與p型區域之間的III族氮化物發光層的結構之后移除所述基質襯底。

12.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在所述生長襯底中或在所述生長襯底與所述III族氮化物層之間的界面處形成弱化區，其中移除生長襯底包括在所述弱化區處將所述III族氮化物層從所述生長襯底分離。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述弱化區包括植入有H原子和N原子中的一者的區域。

14.根據權利要求12所述的方法，其中所述弱化區包括因使用聚焦的激光束照射而產生的多個微米級晶體缺陷或空隙。

15.根據權利要求1所述的方法，其中所述基質襯底是藍寶石。

16.根據權利要求1所述的方法，其中所述III族氮化物層生長在所述生長襯底的從所述生長襯底的a（0001）面定向變異在-10度與10度之間的表面上。

17.根據權利要求1所述的方法，其中移除包括通過機械方法移除。

18.根據權利要求1所述的方法，其中移除包括用刀片破壞所述生長襯底與所述III族氮化物層之間的界面。

19.根據權利要求1所述的方法，其中移除包括機械研磨、在所述生長襯底與所述III族氮化物層之間施加旋轉力、將第一涂有粘合劑的塑料膜附接到所述生長襯底并且將第二涂有粘合劑的塑料膜附接到包括所述III族氮化物層的半導體結構并且將所述生長襯底與所述III族氮化物層拉開、使用聲能脈沖與不均勻的溫度分布中的一個以破壞在所述生長襯底與所述III族氮化物層之間的界面、以及橫跨所述III族氮化物層與生長襯底的表面法線施加溫度梯度使得在所述III族氮化物層/生長襯底界面的平面中的熱感應應力足夠導致該界面的斷裂。