[發(fā)明專利]用于太陽(yáng)能應(yīng)用的過(guò)孔填料

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180052571.4
• 申請(qǐng)日: 2011-09-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103430240A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: G·E·小格雷迪;C·M·麥金利;A·S·沙科赫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 赫勞斯貴金屬北美康舍霍肯有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01B1/12
• 分類號(hào): H01B1/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 彭飛;林柏楠

1.導(dǎo)電糊，包含：

a.65-90重量％的銀粉；

b.0.1-10重量％的至少一種玻璃粉；

c.獨(dú)立和區(qū)別部分的選自由鋯、鉍、鋁、及其組合組成的組的金屬的至少一種氧化物或粘土，和

d.獨(dú)立和區(qū)別部分的選自由鋇、鈣、鎂、硅及其組合組成的組的金屬的至少一種氧化物或粘土。

2.權(quán)利要求1的導(dǎo)電糊，其中所述銀粉至少具有雙峰粒度分布，該雙峰粒度分布具有第一D₅₀平均粒度和第二D₅₀平均粒度。

3.權(quán)利要求1的導(dǎo)電糊，其中所述銀粉至少具有三峰粒度分布，該三峰粒度分布具有具有第一D₅₀平均粒度的第一部分銀粉、具有第二D₅₀平均粒度的第二部分銀粉和具有第三D₅₀平均粒度的第三部分銀粉。

4.權(quán)利要求3導(dǎo)電糊，其中所述第一D₅₀尺寸為0.5至5微米，所述第二D₅₀尺寸為0.5至2.5微米，且所述第三D₅₀粒度為0.1至1.5微米，其中所述D₅₀尺寸彼此相差至少0.1微米。

5.權(quán)利要求4導(dǎo)電糊，其中所述第一D₅₀尺寸為1至4.5微米，所述第二D₅₀尺寸為0.75至2/25微米，且所述第三D₅₀尺寸為0.3至1.3微米。

6.權(quán)利要求5導(dǎo)電糊，其中所述第一D₅₀尺寸為1.5至3.5微米，所述第二D₅₀尺寸為1至2微米，且所述第三D₅₀尺寸為0.5至1.0微米。

7.權(quán)利要求6導(dǎo)電糊，其中所述第一D₅₀尺寸為2至3微米，所述第二D₅₀尺寸為1.25至1.75微米，且所述第三D₅₀尺寸為0.6至0.9微米。

8.權(quán)利要求4至7的導(dǎo)電糊，其中所述銀粉含有20-50重量％的所述第一部分、30-50重量％的所述第二部分和0.1-10重量％的所述第三部分。

9.權(quán)利要求4至7的導(dǎo)電糊，其中所述銀粉含有25-45重量％的所述第一部分、35-45重量％的所述第二部分和2-8重量％的所述第三部分。

10.權(quán)利要求4至7的導(dǎo)電糊，其中所述銀粉含有30-40重量％的所述第一部分，30-40重量％的所述第二部分和3-7重量％的所述第三部分。

11.權(quán)利要求3的導(dǎo)電糊，其中所述第一D₅₀尺寸為2至20微米，所述第二D₅₀尺寸為0.5至2.5微米，且所述第三D₅₀粒度為0.1至1.5微米，其中所述D₅₀尺寸彼此相差至少0.1微米。

12.權(quán)利要求11的導(dǎo)電糊，其中所述第一D₅₀尺寸為3至15微米，所述第二D₅₀尺寸為0.75至2.25微米，且所述第三D₅₀尺寸為0.3至1.3微米。

13.權(quán)利要求11的導(dǎo)電糊，其中所述第一D₅₀尺寸為4至10微米，所述第二D₅₀尺寸為1至2微米，且所述第三D₅₀尺寸為0.5至1.0微米。

14.權(quán)利要求11的導(dǎo)電糊，其中所述第一D₅₀尺寸為5至9微米，所述第二D₅₀尺寸為1.25至1.75微米，且所述第三D₅₀尺寸為0.6至0.9微米。

15.權(quán)利要求11至14任一項(xiàng)的導(dǎo)電糊，其中所述銀粉含有40-70重量％的所述第一部分，5-25重量％的所述第二部分和1-20重量％的所述第三部分。

16.權(quán)利要求11至14任一項(xiàng)的導(dǎo)電糊，其中所述銀粉含有45-65重量％的所述第一部分、10-20重量％的所述第二部分和5-15重量％的所述第三部分。