[發明專利]燒成體的制造方法及用于該方法的燒成爐無效
| 申請號: | 201180052522.0 | 申請日: | 2011-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN103180269A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發明(設計)人: | 山西修;鈴木敬一郎 | 申請(專利權)人: | 住友化學株式會社 |
| 主分類號: | C04B35/64 | 分類號: | C04B35/64;C04B35/638;F27B5/14;F27B5/16;F27D17/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蔡曉菡;孟慧嵐 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 燒成 制造 方法 用于 | ||
1.方法,其為由蜂窩形狀的生坯成型體制造該形狀的燒成體的方法,包括如下工序:
制備含有無機化合物、有機粘結劑和溶劑的混合物的原料制備工序,
將所述混合物成型而獲得所述生坯成型體的成型工序,
一邊將氧濃度1~5體積%的氣體導入到收容了所述生坯成型體的爐內,一邊升高所述爐內的溫度,獲得殘留有含碳物質的成型體的第1加熱工序,
在所述第1加熱工序之后,在所述爐內不導入氧濃度1~5體積%的氣體而進一步升高所述爐內的溫度,獲得燒成體的第2加熱工序,
其中,設定所述第1加熱工序的處理條件,使得在存在氧的900℃的氣氛下放置所述第1加熱工序后的所述成型體時,該成型體的中心部的溫度比爐內的氣氛的溫度高20℃以上。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,在所述爐內的氣氛溫度達到500~900℃時,停止將氧濃度1~5體積%的氣體導入到所述爐內,結束所述爐內的氧濃度控制。
3.燒成爐,其包括:
收容成型體的爐主體,
將所述爐主體內的氣氛加熱的第1加熱裝置,
將包含含碳物質的氣體加熱而使該物質燃燒的第2加熱裝置,
連通所述爐主體的氣體出口與所述第2加熱裝置的第1配管,
連通所述第2加熱裝置與所述爐主體的氣體出口的第2配管,
根據所述爐主體內的氣體中包含的含碳物質的量,控制通過所述第1配管供給到所述第2加熱裝置的氣體的流量的裝置。
4.根據權利要求3所述的燒成爐,其進一步包括測定所述爐主體內的氣體中所包含的含碳物質的量的裝置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于住友化學株式會社,未經住友化學株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201180052522.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種熒光存儲卡
- 下一篇:一種二維碼與驗證碼組合防偽結構





