[發(fā)明專利]非水電解質(zhì)二次電池用正極集電體的制造方法及非水電解質(zhì)二次電池用正極的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180052263.1
• 申請日: 2011-11-04
• 公開（公告）號: CN103403934B
• 公開（公告）日: 2016-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秋山大作;石田輝和;高橋勝;矢熊紀(jì)子;大串亮;出口友香里
• 申請（專利權(quán)）人: MEC股份有限公司
• 主分類號: H01M4/70
• 分類號: H01M4/70;H01M4/131;H01M4/136;H01M4/1391;H01M4/66
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 周善來;李雪春

1.一種非水電解質(zhì)二次電池用正極集電體之制造方法，其為以蝕刻劑粗化處理鋁制集電基材之表面之非水電解質(zhì)二次電池用正極集電體之制造方法，

前述蝕刻劑為由包含堿源與兩性金屬離子之堿性水溶液系蝕刻劑、及包含三價(jià)鐵離子源、二價(jià)銅離子源、錳離子源、與無機(jī)酸之三價(jià)鐵離子水溶液系蝕刻劑中所選出的一種以上蝕刻劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非水電解質(zhì)二次電池用正極集電體之制造方法，其特征在于，前述蝕刻劑為前述堿性水溶液系蝕刻劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非水電解質(zhì)二次電池用正極集電體之制造方法，其特征在于，前述堿性水溶液系蝕刻劑進(jìn)一步包含硫化合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非水電解質(zhì)二次電池用正極集電體之制造方法，其特征在于，前述堿性水溶液系蝕刻劑中的前述硫化合物之含量為0.05～25.0重量%。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的非水電解質(zhì)二次電池用正極集電體之制造方法，其特征在于，前述硫化合物為由硫代硫酸離子及碳數(shù)1～7之硫化合物所選出的一種以上硫化合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的非水電解質(zhì)二次電池用正極集電體之制造方法，其特征在于，前述堿性水溶液系蝕刻劑進(jìn)一步包含硝酸離子。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的非水電解質(zhì)二次電池用正極集電體之制造方法，其為在以前述堿性水溶液系蝕刻劑粗化處理前述鋁制集電基材之表面后，以由硝酸水溶液、硫酸水溶液、及含有硫酸與過氧化氫之水溶液所選出的一種以上水溶液處理粗化面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的非水電解質(zhì)二次電池用正極集電體之制造方法，其為在以前述堿性水溶液系蝕刻劑粗化處理前述鋁制集電基材之表面后，以由氫鹵酸、及包含由堿金屬及堿土金屬所選出的一種以上金屬的氫氧化物之堿性水溶液所選出的一種以上水溶液處理粗化面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的非水電解質(zhì)二次電池用正極集電體之制造方法，其特征在于，在粗化處理前述鋁制集電基材之表面時(shí)于深度方向的蝕刻量為0.1～3.0μm。

10.一種非水電解質(zhì)二次電池用正極之制造方法，其為于鋁制正極集電體上形成活性物質(zhì)層之非水電解質(zhì)二次電池用正極之制造方法，

其特征在于，前述鋁制正極集電體為以權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的制造方法所制得的正極集電體，

再于前述正極集電體之經(jīng)粗化處理的表面上形成前述活性物質(zhì)層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的非水電解質(zhì)二次電池用正極之制造方法，其特征在于，前述活性物質(zhì)層為包括含有鋰之過渡金屬化合物。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的非水電解質(zhì)二次電池用正極之制造方法，其特征在于，前述含有鋰之過渡金屬化合物為磷酸鋰鐵。