[發明專利]等離子CVD裝置

有效

• 申請號: 201180052015.7
• 申請日: 2011-10-27
• 公開（公告）號: CN103210117A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 玉垣浩;沖本忠雄
• 申請（專利權）人: 株式會社神戶制鋼所
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李婷;楊楷

1.一種等離子CVD裝置，

具有：

內部為空洞的真空腔、

將上述真空腔內真空排氣的真空排氣裝置、

配備在上述真空腔內并且卷掛作為成膜對象的基材的成膜輥、

向上述真空腔內供給原料氣體的氣體供給部、

和在上述成膜輥的表面附近形成等離子產生區域從而對卷掛在該成膜輥上的基材進行成膜的等離子電源，

上述氣體供給部設置于等離子非產生區域，所述等離子非產生區域隔著上述成膜輥而位于與上述等離子產生區域相反側。

2.根據權利要求1所述的等離子CVD裝置，其特征在于，

還具備導輥，所述導輥與等離子電源絕緣，隔著上述成膜輥而設置于等離子產生區域的相反側，對卷掛在上述成膜輥上的非導電性的基材以向該基材中被向該成膜輥運入的部分接近的方式進行引導。

3.根據權利要求2所述的等離子CVD裝置，其特征在于，

上述導輥配置為，在上述基材中朝向該導輥的上游側部分和從該導輥送出的下游側部分之間形成間隙，該間隙構成令從上述氣體供給部供給的原料氣體流通到等離子產生區域的氣體流路。

4.根據權利要求3所述的等離子CVD裝置，其特征在于，

進而具有能夠進行定位以使上述基材的上游側部分和下游側部分的間隙的尺寸變化的定位輥。

5.根據權利要求2至4的任意一項所述的等離子CVD裝置，其特征在于，

作為上述成膜輥具有第1成膜輥、與該第1成膜輥軸心相互平行地從該第1成膜輥沿水平方向隔開距離地設置的第2成膜輥，對各自的成膜輥設置上述導輥。

6.根據權利要求1所述的等離子CVD裝置，其特征在于，

具有設置于上述成膜輥的內部而產生令等離子收斂于該成膜輥的表面的磁場的磁場生成部。

7.根據權利要求6所述的等離子CVD裝置，其特征在于，

上述磁場生成部包含沿上述成膜輥的軸方向延伸的例如棒狀的第1磁體、和從垂直于該第1磁體的長度方向的方向看具有包圍該第1磁體的形狀的第2磁體，上述第1磁體的兩磁極中的一方的磁極朝向上述等離子產生區域側，上述第2磁體的兩磁極中與上述第1磁體中朝向上述等離子產生區域側的磁極相反的磁極朝向上述等離子產生區域側，以在該第1以及第2磁體間產生具有封閉的磁力線的磁場的方式配置上述第1以及第2磁極。

8.根據權利要求6或7所述的等離子CVD裝置，其特征在于，

作為上述成膜輥，具有第1成膜輥、和與該第1成膜輥軸心相互平行地從該第1成膜輥沿水平方向隔開距離地設置的第2成膜輥，上述磁場生成部分別設置于上述第1以及第2成膜輥的內部，配置為產生令等離子收斂于上述第1以及第2成膜輥的表面中相互對置的部分的磁場。