[發明專利]磁記錄用軟磁性合金、濺射靶材及磁記錄介質

有效

• 申請號: 201180051301.1
• 申請日: 2011-10-24
• 公開（公告）號: CN103221568A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 長谷川浩之
• 申請（專利權）人: 山陽特殊制鋼株式會社
• 主分類號: C22C45/04
• 分類號: C22C45/04;C22C45/02;C23C14/34;G11B5/738;G11B5/851;H01F10/13;H01F41/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 翟赟琪

1.一種磁記錄用軟磁性合金，其特征在于，

以at％計，包含：

Fe：0～70％、

(A)5～20％的選自Ti、Zr、及Hf中的1種或2種以上的元素、

(B)0～30％的選自Cr、Mo、及W中的1種或2種以上的元素、

(C)0～30％的選自V、Nb、及Ta中的1種或2種以上的元素、

(D)0～30％的選自Ni及Mn中的1種或2種元素、

(E)0～5％的選自Al及Cu中的1種或2種元素、以及

(F)0～10％的選自Si、Ge、P、B、及C中的1種或2種以上的元素，

余部含有Co及不可避免的雜質。

2.根據權利要求1所述的磁記錄用軟磁性合金，其中，

所述合金以at％計，僅由：

Fe：0～70％、

(A)5～20％的選自Ti、Zr、及Hf中的1種或2種以上的元素、

(B)0～30％的選自Cr、Mo、及W中的1種或2種以上的元素、

(C)0～30％的選自V、Nb、及Ta中的1種或2種以上的元素、

(D)0～30％的選自Ni及Mn中的1種或2種元素、

(E)0～5％的選自Al及Cu中的1種或2種元素、

(F)0～10％的選自Si、Ge、P、B、及C中的1種或2種以上的元素、以及

余部的Co及不可避免的雜質構成。

3.根據權利要求1或2所述的磁記錄用軟磁性合金，其中，

包含5～30at％的(B)組的元素，(A)組的元素與(B)組的元素之和為10～35at％。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的磁記錄用軟磁性合金，其中，

包含超過0％而為30at％以下的(C)組的元素。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的磁記錄用軟磁性合金，其中，

包含超過0％而為30at％以下的(D)組的元素。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的磁記錄用軟磁性合金，其中，

包含超過0％而為5at％以下的(E)組的元素。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的磁記錄用軟磁性合金，其中，

包含超過0％而為10at％以下的(F)組的元素。

8.一種濺射靶材，其特征在于，

用權利要求1～7中任一項所述的磁記錄用軟磁性合金制成。

9.一種磁記錄介質，其特征在于，

具備用權利要求1～7中任一項所述的磁記錄用軟磁性合金制成的軟磁性膜。