[發(fā)明專利]加熱裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180051175.X
• 申請(qǐng)日: 2011-10-11
• 公開（公告）號(hào): CN103180267A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 近藤暢之;渡邊守道;神藤明日美;勝田祐司;佐藤洋介;磯田佳范
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本礙子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C04B35/581
• 分類號(hào): C04B35/581;C04B35/04;H01L21/3065;H01L21/31
• 代理公司: 上海市華誠(chéng)律師事務(wù)所 31210
• 代理人: 徐曉靜

1.一種加熱裝置，其包括具有加熱半導(dǎo)體的加熱面的基座，所述加熱裝置的特征在于，

所述基座包括板狀主體部與面向所述加熱面的表面耐腐蝕層，所述表面耐腐蝕層由以鎂、鋁、氧以及氮為主成分的陶瓷材料構(gòu)成，該陶瓷材料以氮氧化鋁鎂相為主相，且使用CuKα線時(shí)的XRD波峰至少出現(xiàn)在2θ=47～50°。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，

所述基座包括覆蓋所述板狀主體部的背面的背面覆蓋層，該背面覆蓋層由以鎂、鋁、氧以及氮為主成分的陶瓷材料構(gòu)成，該陶瓷材料以氮氧化鋁鎂相為主相，且使用CuKα線時(shí)的XRD波峰至少出現(xiàn)在2θ=47～50°。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的加熱裝置，其特征在于，

所述基座包括覆蓋所述板狀主體部的側(cè)面的側(cè)面耐腐蝕層，該側(cè)面耐腐蝕層由以鎂、鋁、氧以及氮為主成分的陶瓷材料構(gòu)成，該陶瓷材料以氮氧化鋁鎂相為主相，且使用CuKα線時(shí)的XRD波峰至少出現(xiàn)在2θ=47～50°。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的加熱裝置，其特征在于，包括：

中間層，其設(shè)在所述表面耐腐蝕層、所述背面覆蓋層以及所述側(cè)面耐腐蝕層中至少一個(gè)與所述板狀主體部之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的加熱裝置，其特征在于，包括：

接合到所述基座的背面的支撐部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加熱裝置，其特征在于，

所述支撐部由所述陶瓷材料構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的加熱裝置，其特征在于，包括：

發(fā)熱體，其埋設(shè)在所述板狀主體部的內(nèi)部；以及電力供給構(gòu)件，其容納在所述支撐部的內(nèi)側(cè)空間，與所述發(fā)熱體電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的加熱裝置，其特征在于，

所述2θ為47～49°。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的加熱裝置，其特征在于，

所述陶瓷材料以氧化鎂中固溶了氮化鋁的MgO-AlN固溶體的結(jié)晶相為副相。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的加熱裝置，其特征在于，

所述MgO-AlN固溶體的使用CuKα線時(shí)的（200）面及（220）面的XRD波峰出現(xiàn)在氧化鎂的立方晶波峰與氮化鋁的立方晶波峰之間的2θ=42.9～44.8°、62.3～65.2°。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的加熱裝置，其特征在于，

所述MgO-AlN固溶體的使用CuKα線時(shí)的（111）面的XRD波峰出現(xiàn)在氧化鎂的立方晶波峰與氮化鋁的立方晶波峰之間的2θ=36.9～39°。

12.根據(jù)權(quán)利要求1到11任一項(xiàng)所述的加熱裝置，其特征在于，

所述陶瓷材料不包含AlN結(jié)晶相。

13.根據(jù)權(quán)利要求1到12任一項(xiàng)所述的加熱裝置，其特征在于，

所述板狀主體部由以氮化鋁、氧化釔或氧化鋁為主相的陶瓷構(gòu)成。