[發明專利]可減少處理腔室不對稱的影響的等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 201180050002.6
• 申請日: 2011-10-25
• 公開（公告）號: CN103168507A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 羅伯特·謝比;艾倫·切希爾;斯坦利·德特馬;加布里埃爾·魯皮亞爾
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01L21/205;H01L21/3065
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種等離子體處理裝置，包含：

具有處理腔體的處理腔室，該處理腔體中布置有基板支撐；及

布置于該基板支撐上方的第一RF線圈，以將RF能量耦合至該處理腔體之中，其中沿著該第一RF線圈移動的RF能量所產生的電場在該基板支撐的中央軸四周是不對稱的。

2.如權利要求1的等離子體處理裝置，進一步包含：

抽氣通口，以從該處理腔體移除一或更多氣體，其中該抽氣通口相對于該處理腔體不對稱地布置。

3.如權利要求2的等離子體處理裝置，其中下述至少其一：

該第一RF線圈經配置，使得于使用期間所產生的電場，在靠近該抽氣通口的該處理腔體的第一部分上方比在對立于該抽氣通口的該處理腔體的第二部分上方更微弱；或者

其中該電場在靠近該抽氣通口的該處理腔體的該第一部分上方比在鄰接該處理腔體的該第一部分的該處理腔體的第三部分上方更微弱。

4.如權利要求1或2任一項的等離子體處理裝置，其中該第一RF線圈不對稱地布置于該基板支撐的該中央軸四周。

5.如權利要求1或2任一項的等離子體處理裝置，其中該第一RF線圈進一步包含：

至少一個導體，該至少一個導體纏繞于該基板支撐的該中央軸四周，且從靠近該基板支撐的該中央軸布置的第一端至第二端纏繞朝向該處理腔體的外圍，其中該至少一個導體的最外部纏繞布置于該處理腔體的該外圍的內部。

6.如權利要求5的等離子體處理裝置，其中該至少一個導體進一步包含：

第一纏繞；及

鄰接于該第一纏繞的第二纏繞，其中介于該第一纏繞及該第二纏繞之間的距離是變化的。

7.如權利要求1或2任一項的等離子體處理裝置，其中該第一RF線圈進一步包含：

多個導體，該多個導體纏繞于該基板支撐的該中央軸四周，且從靠近該基板支撐的該中央軸布置的該多個導體的各自第一端至該多個導體的各自第二端纏繞朝向該處理腔體的外圍。

8.如權利要求7的等離子體處理裝置，其中下述其一：

該多個導體的至少一者不對稱地布置于該基板支撐的該中央軸四周；或者

該多個導體的各別一者不對稱地布置于該基板支撐的該中央軸四周，且其中該多個導體的各別一者彼此對稱地布置。

9.如權利要求7的等離子體處理裝置，其中該多個導體的各別一者不對稱地布置于該基板支撐的該中央軸四周，且其中該多個導體的各別一者彼此對稱地布置，其中介于任何兩個鄰接的導體之間的距離沿著鄰接導體的各自長度是不變的。

10.如權利要求1或2任一項的等離子體處理裝置，進一步包含：

布置于該基板支撐上方的第二RF線圈，以將RF能量耦合至該處理腔體之中。

11.如權利要求10的等離子體處理裝置，其中該第一RF線圈是外部線圈，且該第二RF線圈是內部線圈，該內部線圈對稱地布置于該基板支撐的該中央軸四周。

12.如權利要求1或2任一項的等離子體處理裝置，其中該處理腔室進一步包含：

布置于該基板支撐上方的圓頂，其中該第一RF線圈在該處理腔體的外部布置于該圓頂的四周。

13.一種等離子體處理裝置，包含：

處理腔室，該處理腔室具有處理腔體及上蓋，該處理腔體中布置有基板支撐，且該上蓋布置于該基板支撐上方；

外部RF線圈，該外部RF線圈在該處理腔體外部布置靠近該上蓋，以將RF能量耦合至該處理腔體之中，其中該外部RF線圈包括至少一個第一導體，該至少一個第一導體不對稱地布置于該基板支撐的該中央軸的四周；

內部RF線圈，該內部RF線圈在該處理腔體外部位于該上蓋的四周，以將RF能量耦合至該處理腔體之中，其中該內部RF線圈包括第二導體，該第二導體對稱地布置于該基板支撐的該中央軸的四周；及

抽氣通口，該抽氣通口相對于該處理腔體不對稱地布置，其中電場在靠近該抽氣通口的該處理腔體的第一部分上方比在對立于該抽氣通口的該處理腔體的第二部分上方更微弱。