[發(fā)明專利]銀納米線制造方法和銀納米線成長控制劑有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201180049951.2 | 申請日： | 2011-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN103167920A | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 河口知晃;長谷川俊之 | 申請（專利權(quán)）人： | 星光PMC株式會社 |
| 主分類號： | B22F9/24 | 分類號： | B22F9/24;B22F1/00 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人： | 武也平;胡福恒 |
| 地址： | 日本東京都中*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 制造 方法 成長 控制 | ||
1.一種銀納米線制造方法，其特征在于，讓含有通過聚合含N-取代(甲基)丙烯酰胺的聚合性單體而得到的聚合物的銀納米線成長控制劑和銀化合物在多元醇中25～180℃下反應(yīng)。
2.按權(quán)利要求1所述的銀納米線制造方法，其特征在于，使在氯化物離子存在下反應(yīng)。
3.按權(quán)利要求1或2所述的銀納米線制造方法，其特征在于，在遮光下制造銀納米線。
4.按權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的銀納米線制造方法，其特征在于，上述聚合物系將N-取代(甲基)丙烯酰胺60～100質(zhì)量%與其他聚合性單體0～40質(zhì)量%聚合而成。
5.按權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的銀納米線制造方法，其特征在于，上述聚合物的重均分子量在8000～4000000范圍內(nèi)。
6.按權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的銀納米線制造方法，其特征在于，N-取代(甲基)丙烯酰胺系下列通式(1)所示的單體(a)或Ｎ-丙烯酰嗎啉；
(a)通式（1）
(通式(1)中，R1表示氫原子或甲基，R2表示氫原子或碳數(shù)1～6的烷基，R3表示碳數(shù)1～5的烷基或羥烴基。)
7.按權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的銀納米線制造方法，其特征在于，銀納米線長軸長能控制在0.5～1000μm。
8.一種銀納米線成長控制劑，其特征在于，含有通過聚合含N-取代(甲基)丙烯酰胺的聚合性單體而得到的聚合物。
9.按權(quán)利要求8所述的銀納米線成長控制劑，其特征在于，上述聚合物系將N-取代(甲基)丙烯酰胺60～100質(zhì)量%與其他聚合性單體0～40質(zhì)量%聚合而成。
10.按權(quán)利要求8或9所述的銀納米線成長控制劑，其特征在于，上述聚合物的重均分子量在8000～4000000范圍內(nèi)。
11.按權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的銀納米線成長控制劑，其特征在于，N-取代(甲基)丙烯酰胺系下列通式(2)所示的單體(b)或Ｎ-丙烯酰嗎啉；
(b)通式（2）
(通式(2)中，R1表示氫原子或甲基，R2表示氫原子或碳數(shù)1～6的烷基，R3表示碳數(shù)1～5的烷基或羥烴基。)
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