[發明專利]用于提供具有顯著六極和八極分量的大體四極場的方法和系統

有效

• 申請號: 201180048905.0
• 申請日: 2011-08-25
• 公開（公告）號: CN103282998A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 米爾恰·古納
• 申請（專利權）人: DH科技發展私人貿易有限公司
• 主分類號: H01J49/42
• 分類號: H01J49/42
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 容春霞

1.一種在線性離子阱中處理離子的方法，所述方法包括：

建立和維持二維不對稱大體四極場，其具有第一軸、沿著所述第一軸的第一軸電位、與所述第一軸正交的第二軸以及沿著所述第二軸的第二軸電位，其中i)所述第一軸電位包括具有振幅A2₁的四極諧波、具有振幅A3₁的六極諧波和具有振幅A4₁的八極諧波，A4₁大于A2₁的0.01％，A4₁小于A2₁的5％和A3₁的33％，且對于所述第一軸電位中存在的具有振幅An₁的任一其它較高階諧波，如果n₁為大于4的任一整數，則A3₁大于十倍的An₁；且ii)所述第二軸電位包括具有振幅A2₂的四極諧波和具有振幅A4₂的八極諧波，其中A4₂大于A2₂的0.01％，A4₂小于A2₂的5％，且對于所述場的所述第二軸電位中存在的具有振幅An₂的任一其它較高階諧波，如果n₂為除4之外的大于2的任一整數，則A4₂大于十倍的An₂；

將離子引入到所述場。

2.根據權利要求1所述的方法，其中A4₁大于A2₁的0.001％，且其中A4₂大于A2₂的0.001％。

3.根據權利要求1所述的方法，其中A3₁大于倍的An₁。

4.根據權利要求1所述的方法，其中A3₁大于倍的An₁。

5.根據權利要求4所述的方法，其中

所述線性離子阱包括第一對桿、第二對桿和四個輔助電極，所述四個輔助電極插入所述第一對桿與所述第二對桿之間且包括由對分所述第一對桿和所述第二對桿中的一對的第一平面分離的第一對輔助電極和第二對輔助電極，

所述第一軸位于所述第一平面中且所述第二軸與所述第一平面正交，

建立和維持所述場包括：i)在第一頻率下且在第一相位中將第一RF電壓提供到所述第一對桿，ii)在等于所述第一頻率的第二頻率下且在與所述第一相位相反的第二相位中將第二RF電壓提供到所述第二對桿，以及iii)在等于所述第一頻率的輔助頻率下且從所述第一相位移位一相移而將輔助RF電壓提供到所述第一對輔助電極，iv)將第一DC電壓提供到所述第一對輔助電極，以及v)將第二DC電壓提供到所述第二對輔助電極，且

所述方法進一步包括

從所述場軸向噴射所述離子的選定部分，所述離子的所述選定部分具有選定m/z；

檢測所述離子的所述選定部分以提供圍繞滑動m/z比為中心的滑動質量信號峰；以及

調整以下各項中的至少一者：i)所述輔助RF電壓的所述相移；ii)提供到所述第一對輔助電極的所述第一DC電壓；iii)提供到所述第二對輔助電極的所述第二DC電壓；以及iv)提供到所述第一對輔助電極的所述輔助RF電壓，以使所述滑動m/z比朝向所述選定m/z滑動。

6.根據權利要求5所述的方法，其中建立和維持所述場包括將所述第二DC電壓提供到所述第二對輔助電極而不將RF電壓提供到所述第二對輔助電極。

7.根據權利要求5所述的方法，其中建立和維持所述場包括將第二輔助RF電壓與所述第二DC電壓一起提供到所述第二對輔助電極，其中所述第二輔助RF電壓相對于提供到所述第一對輔助電極的所述輔助RF電壓為180度相移。

8.根據權利要求5所述的方法，其進一步包括調整所述輔助RF電壓的所述相移以使所述滑動m/z比朝向所述選定m/z滑動。

9.根據權利要求5所述的方法，其進一步包括調整i)提供到所述第一對輔助電極的所述第一DC電壓和ii)提供到所述第二對輔助電極的所述第二DC電壓中的至少一者以使所述滑動m/z比朝向所述選定m/z滑動。