[發明專利]應力誘導電阻變化的補償

無效

• 申請號: 201180046664.6
• 申請日: 2011-07-27
• 公開（公告）號: CN103125021A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 斯蒂芬·約翰·哈羅德;阿德里安·哈維·布拉特;喬納森·拉塞萊特·哥德芬馳
• 申請（專利權）人: 億歐塞米有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G01D3/036;G01L5/00;H03K3/011
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 徐川;武晨燕

1.一種用于對半導體電阻器元件的電阻的應力誘導變化進行補償的方法，所述方法包括以下步驟：

提供半導體器件，所述半導體器件包括所述半導體電阻器元件和參考設備，其中，所述參考設備包括金屬參考電阻器和半導體參考電阻器；

通過對所述金屬參考電阻器的電阻和所述半導體參考電阻器的電阻的應力誘導改變，或者與所述應力誘導改變在功能上相關的至少一個量進行測量，來產生補償參數；以及

使用所述補償參數來對所述半導體電阻器元件的電阻的應力誘導變化進行補償。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述補償參數是通過對所述金屬參考電阻器的電阻與所述半導體參考電阻器的電阻的第一比值進行測量來產生的。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述補償參數是通過對所述第一比值與所述金屬參考電阻器的電阻與所述半導體參考電阻器的電阻的第二參考比值進行比較來產生的，所述第二參考比值是在參考條件下進行確定的。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述補償參數是通過對所述第一比值與所述第二比值的比值，或者與所述第一比值與所述第二比值的比值在功能上相關的量進行獲取來產生的。

5.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中，所述產生補償參數的步驟包括溫度補償步驟，所述溫度補償步驟用于對所述金屬參考電阻器的所測得的電阻和所述半導體參考電阻器的所測得的電阻的溫度誘導變化進行補償。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述溫度補償步驟是參照以溫度為函數的金屬電阻器電阻和半導體電阻器電阻的數據庫或數學模型來執行的。

7.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中，所述產生補償參數的步驟包括：對所述金屬參考電阻器的應變系數與所述半導體參考電阻器的應變系數的比值進行修正。

8.根據權利要求4所述的方法，其中，修正系數是由以下關系式導出的：

RRΔSRR=1+GS·ΔSS1+GM·ΔSM]]>

其中，RR_ΔS是所述第一比值，RR是所述第二比值，Gs是所述半導體參考電阻器中的半導體材料的應變系數，G_M是所述金屬參考電阻器中的金屬材料的應變系數，ΔS_S是由所述半導體參考電阻器所經受到的應變改變，并且ΔS_M是由所述金屬參考電阻器所經受到的應變改變，并且其中，可選地，項G_M/G_S和ΔS_M/ΔS_S中的一項或多項被忽略。

9.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中，所述半導體電阻器元件形成RC振蕩器的一部分，并且，使用所述補償參數的步驟包括：使用所述補償參數作為所述半導體電阻元件的電阻的應力誘導變化的指示，并且考慮所述應力誘導變化的所述指示，調節RC振蕩器來實現所希望的輸出頻率。