[發明專利]蝕刻方法及裝置有效
| 申請號： | 201180046520.0 | 申請日： | 2011-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN103155116A | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發明（設計）人： | 功刀俊介;真弓聰 | 申請（專利權）人： | 積水化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;H05H1/24 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 龔敏 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 方法 裝置 | ||
1.一種蝕刻方法，其特征在于，是在大氣壓附近的處理空間中使用含有氟系反應成分和第一氧化性反應成分的處理氣體來蝕刻含硅物的蝕刻方法，包括：
前處理工序，其是使含有第二氧化性反應成分的處理流體與含有所述含硅物的被處理物接觸的工序，以及
蝕刻處理工序，其是在所述前處理工序之后，在以橫穿所述處理空間內的方式使所述被處理物相對于所述處理空間相對地移動的同時，將所述處理氣體供給至所述處理空間或者在所述處理空間內生成所述處理氣體的所述各反應成分的工序。
2.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，在所述蝕刻處理工序中，通過調節所述被處理物橫穿所述處理空間內的次數，從而控制所述含硅物的蝕刻量。
3.根據權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于，在所述蝕刻處理工序中，通過在大氣壓附近下將含有含氟成分和含氫添加成分的氟系原料氣體等離子體化，從而生成所述氟系反應成分。
4.一種蝕刻裝置，其特征在于，是在大氣壓附近的處理空間中使用含有氟系反應成分和第一氧化性反應成分的處理氣體來蝕刻含硅物的蝕刻裝置，具備：
前處理部，所述前處理部是具有將含有第二氧化性反應成分的處理流體吹出的前處理噴嘴、且使所述處理流體與含有所述含硅物的被處理物接觸的部分，
蝕刻處理部，所述蝕刻處理部是具有限定所述處理空間的限定部、以及以橫穿所述處理空間內的方式使與所述處理流體接觸后的所述被處理物相對于所述限定部相對地移動的移動裝置，且將所述處理氣體供給至所述處理空間或者在所述處理空間內生成所述處理氣體的所述各反應成分的部分。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于積水化學工業株式會社，未經積水化學工業株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201180046520.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：風機消聲結構
- 下一篇：一種生物質熱解氣化與焦油催化裂解的裝置與方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
