[發(fā)明專利]光擴(kuò)散元件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201180044583.2 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103109215A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 西村明憲;瀧田智仁;淵田岳仁;武本博之 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G02B5/02 | 分類號(hào): | G02B5/02;F21V3/04;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 王玉玲 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 擴(kuò)散 元件 | ||
1.一種光擴(kuò)散元件,其具有:
基材膜及設(shè)置于該基材膜的一個(gè)面的光擴(kuò)散膜,
該光擴(kuò)散膜的濁度值為75%以上,
該光擴(kuò)散膜含有氟系表面活性劑,
該氟系表面活性劑偏在于該光擴(kuò)散膜中的與該基材膜相反側(cè)的面,
該氟系表面活性劑包含選自由下述通式(I)所表示的結(jié)構(gòu)單元、下述通式(II)所表示的結(jié)構(gòu)單元及下述通式(III)所表示的結(jié)構(gòu)單元所組成的組中的至少1種結(jié)構(gòu)單元;
[化1]
-O-CF2-O-···(III)
通式(I)中,m是1~10的整數(shù),通式(II)中,n是2~10的整數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的光擴(kuò)散元件,其中,
所述氟系表面活性劑含有所述通式(III)所表示的結(jié)構(gòu)單元。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光擴(kuò)散元件,其中,
所述光擴(kuò)散膜中的所述氟系表面活性劑的含有比例為0.05重量%~3重量%。
4.如權(quán)利要求1~3中任意一項(xiàng)所述的光擴(kuò)散元件,其中,
所述光擴(kuò)散膜具有基質(zhì)及分散在該基質(zhì)中的光擴(kuò)散性微粒,在該基質(zhì)與該光擴(kuò)散性微粒的界面附近形成有折射率實(shí)質(zhì)上連續(xù)變化的折射率調(diào)制區(qū)域,
該基質(zhì)包含樹(shù)脂成分及超微粒成分,該折射率調(diào)制區(qū)域是基于該基質(zhì)中的該超微粒成分的分散濃度的實(shí)質(zhì)性梯度形成。
5.如權(quán)利要求4所述的光擴(kuò)散元件,其中,
所述超微粒成分的配合量是相對(duì)于基質(zhì)100重量份為20重量份~80重量份。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日東電工株式會(huì)社,未經(jīng)日東電工株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201180044583.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





