[發(fā)明專利]使用與半導(dǎo)體施主分離的層來制造光電裝置的方法和由該方法制成的裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180043744.6
• 申請(qǐng)日: 2011-03-21
• 公開（公告）號(hào): CN103262210B
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿杰庫瑪·R·賈殷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 維爾雷思科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/20
• 分類號(hào): H01L21/20;H01L33/00
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11002
• 代理人: 劉成春,王瑩

1.一種制造光電裝置的方法，包括：

提供具有可分離層的半導(dǎo)體施主；

使所述可分離層從所述施主脫離；以及

將所述可分離層作為光電裝置的電氣功能元件并入所述光電裝置中，

其中，所述提供半導(dǎo)體施主包括：提供固有層狀材料，所述固有層狀材料具有通過范德華力結(jié)合在一起的片層；并且

所述脫離包括：使所述片層的至少一個(gè)從所述半導(dǎo)體施主脫離。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述提供固有層狀材料包括：提供包括鎵和硒的材料。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述固有層狀材料包括：具有大于或等于1.8eV并小于或等于2.5eV的塊體能隙的層狀材料。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述固有層狀材料包括：具有大于或等于2.5eV并小于或等于4.5eV的塊體能隙的層狀材料。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述可分離層具有厚度，并且所述方法還包括：將所述可分離層的厚度作為所述光電裝置的電氣功能元件的預(yù)期性能的函數(shù)進(jìn)行調(diào)整。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述厚度的調(diào)整是與所述脫離相結(jié)合進(jìn)行的。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述光電裝置具有p-n結(jié)，并且所述將可分離層并入包括：將所述可分離層并入所述p-n結(jié)的一側(cè)中。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述光電裝置具有p-n結(jié)，并且所述將可分離層并入包括：將所述可分離層并入所述p-n結(jié)的n-側(cè)中，并且還包括：將第二可分離層并入所述p-n結(jié)的p-側(cè)中。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述光電裝置具有量子約束層，并且所述將可分離層并入包括：將所述可分離層并入所述量子約束層中。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述提供半導(dǎo)體施主包括：提供具有多個(gè)片層的晶體半導(dǎo)體施主，并且所述使可分離層與所述施主脫離包括：使所述多個(gè)片層的一部分與所述晶體半導(dǎo)體施主脫離。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述使多個(gè)片層的一部分脫離包括：使多個(gè)片層與所述晶體半導(dǎo)體施主脫離。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述可分離層具有第一摻雜類型，并且所述方法還包括：將第一半導(dǎo)體層沉積在所述可分離層的第一表面上，其中，所述第一半導(dǎo)體層具有與所述第一摻雜類型相反的第二摻雜類型，由此形成p-n結(jié)。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在兩個(gè)半導(dǎo)體層之間夾入所述可分離層，其中，所述兩個(gè)半導(dǎo)體層具有相反的摻雜類型，且每個(gè)半導(dǎo)體層的能隙大于所述可分離層的能隙。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括：提供具有小于100nm的厚度的所述可分離層，使得所述可分離層在所述光電裝置中起量子約束層的作用。

15.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括：提供具有大于100nm的厚度的所述可分離層，使得所述可分離層在所述光電裝置中起電致發(fā)光層的作用。

16.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括：提供具有非均勻厚度的所述可分離層，由此使得所述光電裝置在被施加電壓時(shí)發(fā)射多個(gè)光波段。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述非均勻厚度呈曲線形。

18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述非均勻厚度呈平坦形。

19.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括：在沉積前，添加量子點(diǎn)至所述可分離層的表面。

20.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：使用夾間物質(zhì)來改變所述可分離層的能隙。

21.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：通過剝離來改變所述可分離層的能隙。

22.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用夾間物質(zhì)完成所述脫離。