[發(fā)明專(zhuān)利]具有熱管理的堆疊半導(dǎo)體芯片設(shè)備

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180043590.0
• 申請(qǐng)日: 2011-09-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103098207A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈邁爾·里法伊-艾哈邁德;布萊恩·布萊克;邁克爾·Z·蘇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: ATI科技無(wú)限責(zé)任公司;超威半導(dǎo)體公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/065
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/065;H01L23/36
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠

1.一種制造方法，其包括：

將第一半導(dǎo)體芯片（35）耦接到第一基板（60），所述第一基板包括第一孔徑（70）；和

通過(guò)所述第一孔徑將熱管理設(shè)備（75、75＇、75〞）與第一半導(dǎo)體芯片熱接觸放置。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述熱管理設(shè)備包括散熱器、均熱板或熱電冷卻器中的一個(gè)。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一半導(dǎo)體芯片和所述熱管理設(shè)備中的至少一個(gè)至少部分位于所述第一孔徑中。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其包括將多個(gè)半導(dǎo)體芯片（25、30、35）耦接到所述第一基板。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的一個(gè)包括插入器（20）。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一基板包括電路板，所述方法包括將所述第一電路板耦接到第二電路板（85）。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第二電路板包括第二孔徑（95），且所述熱管理設(shè)備至少部分位于所述第二孔徑中。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中將所述熱管理設(shè)備耦接到所述第二電路板。

9.一種制造方法，其包括：

將熱管理設(shè)備與半導(dǎo)體芯片設(shè)備（10）的第一半導(dǎo)體芯片熱接觸放置；且

其中所述半導(dǎo)體芯片設(shè)備包括耦接到所述第一半導(dǎo)體芯片（60）的第一基板，所述第一基板包括第一孔徑（70），且所述熱接觸是通過(guò)所述第一孔徑。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述熱管理設(shè)備包括散熱器、均熱板或熱電冷卻器中的一個(gè)。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一半導(dǎo)體芯片和所述熱管理設(shè)備中的至少一個(gè)至少部分位于所述第一孔徑中。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述半導(dǎo)體芯片設(shè)備包括耦接到所述第一基板的多個(gè)半導(dǎo)體芯片（25、30、35）。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的一個(gè)包括插入器（20）。

14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一基板包括電路板，所述方法包括將所述第一電路板耦接到第二電路板（85）。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第二電路板包括第二孔徑（95），且所述熱管理設(shè)備至少部分位于所述第二孔徑中。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中將所述熱管理設(shè)備（75〞）耦接到所述第二電路板。

17.一種裝置，其包括：

半導(dǎo)體芯片設(shè)備（10），其包括耦接到第一基板的第一半導(dǎo)體芯片（35），所述第一基板包括第一孔徑（70）；和

熱管理設(shè)備（70），其通過(guò)所述第一孔徑與所述第一半導(dǎo)體芯片熱接觸。

18.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述熱管理設(shè)備包括散熱器、均熱板或熱電冷卻器中的一個(gè)。

19.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述第一半導(dǎo)體芯片和所述熱管理設(shè)備中的至少一個(gè)至少部分位于所述第一孔徑中。

20.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述第一半導(dǎo)體芯片和所述熱管理設(shè)備都至少部分位于所述第一孔徑中。

21.如權(quán)利要求17所述的裝置，其包括耦接到所述第一基板的多個(gè)半導(dǎo)體芯片。

22.如權(quán)利要求21所述的裝置，其中多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的一個(gè)包括插入器（20）。

23.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述第一基板包括耦接到第二電路板的電路板（85）。

24.如權(quán)利要求23所述的裝置，其中所述第二電路板包括第二孔徑（95），且所述熱管理設(shè)備至少部分位于所述第二孔徑中。

25.如權(quán)利要求24所述的裝置，其中將所述熱管理設(shè)備耦接到所述第二電路板。