[發(fā)明專利]雙重遞送腔室設計

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180043422.1
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN103098174A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設計）人: P·艾文加;S·巴錄佳;D·R·杜波依斯;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯;T·諾瓦克;S·A·亨德里克森;Y-W·李;M-Y·石;L-Q·夏;D·R·威蒂
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 胡林嶺;侯穎媖

1.一種裝置，包括：

提供耦合至噴頭上表面的熱腔室、耦合至所述噴頭下表面的處理腔室以及在所述處理腔室中的用于支撐基板的基座；

加熱所述熱腔室中的第一處理氣體以產生中性基；

傳送所述中性基從所述熱腔室經過延伸穿過所述噴頭的第一列孔至所述處理腔室；

傳送第二處理氣體經過與所述第一列孔隔離的所述噴頭中的第二列孔；

將所述中性基與所述第二處理氣體進行混合；以及

在所述處理腔室中的所述基板上沉積材料層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

在所述噴頭與所述基座之間施加RF功率；以及

在所述處理腔室中的所述基板上方產生等離子體。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包含：在處理期間將所述基座冷卻為低于100℃。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

從所述熱腔室中的加熱器產生熱量；

從所述熱腔室熱傳導所述熱量經過間隔環(huán)至所述噴頭；以及

在所述第二處理氣體流動穿過所述噴頭中的所述第二列孔的同時，加熱所述第二處理氣體。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

通過熱傳導隔離環(huán)將至所述熱腔室的熱量隔離至所述噴頭。

6.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置進一步包括：

耦合至所述間隔環(huán)或嵌入在所述間隔環(huán)內的加熱器。

7.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置進一步包括：

耦合至所述熱腔室的加熱器。

8.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述熱腔室包含：在所述熱腔室中分配所述第一處理氣體的阻隔板。

9.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述噴頭包含：所述上表面與所述下表面之間的內部體積、至所述內部體積的入口孔及第二列孔，所述第二列孔在所述下表面中供所述第二處理氣體流動至所述處理腔室。

10.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述噴頭包含：多個凸起柱，所述多個凸起柱中的每一個各自具有通孔，所述通孔與所述第一列孔對準，所述第一列孔從所述上表面延伸至所述下表面。

11.如權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述多個凸起柱由陶瓷材料制成。

12.一種方法，包括：

提供耦合至噴頭上表面的等離子體產生腔室、耦合至所述噴頭下表面的處理腔室以及在所述處理腔室中的用于支撐基板的基座；

在所述等離子體產生腔室和所述噴頭的所述上表面之間施加電功率；

對所述等離子體產生腔室中的第一處理氣體通電以產生等離子體；

鄰近所述等離子體產生腔室的噴頭，所述噴頭具有上表面及下表面，所述噴頭具有從所述上表面延伸至所述下表面的第一列孔，所述噴頭的所述上表面為所述等離子體產生腔室的下電極；

處理腔室，所述噴頭的所述下表面為所述處理腔室的上表面；以及

所述處理腔室內的基座，所述基座用于支撐鄰近于所述噴頭的所述下表面的基板。

13.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述裝置進一步包括：

耦合至所述噴頭的下表面的RF功率源；

其中所述基座接地。

14.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述基座包含：用于在處理期間將放置在所述基座上的基板保持為低于100℃的冷卻機構。

15.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述噴頭包含：所述上表面與所述下表面之間的內部體積、至所述內部體積的入口孔及第二列孔，所述第二列孔在所述下表面中供所述第二處理氣體流動至所述處理腔室。

16.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述等離子體產生腔室的上電極為用于分配所述第一處理氣體的阻隔板。

17.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述裝置進一步包括：

所述上電極與所述下電極之間的間隔環(huán)，所述間隔環(huán)是介電且導熱的。