[發明專利]表面防水處理用組合物以及使用該組合物的半導體基板表面的防水處理方法

無效

• 申請號: 201180043043.2
• 申請日: 2011-09-07
• 公開（公告）號: CN103098178A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 水田浩德;浦野洋治;柿澤政彥
• 申請（專利權）人: 和光純藥工業株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;C09K3/18
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

1.一種半導體基板表面防水處理用組合物，其含有：a)選自由長鏈烷基叔胺以及長鏈烷基銨鹽組成的組中的至少1種化合物；b)具有稠環結構或產生堿或酸而形成稠環結構的堿產生劑或酸產生劑；以及c)極性有機溶劑。

2.如權利要求1所述的組合物，其中，長鏈烷基叔胺以及長鏈烷基銨鹽至少具有1個以上的碳原子數為4～20的烷基。

3.如權利要求1所述的組合物，其中，a)選自由長鏈烷基叔胺以及長鏈烷基銨鹽組成的組中的至少1種化合物為長鏈烷基銨鹽。

4.如權利要求3所述的組合物，其中，所述長鏈烷基銨鹽為三正辛基甲基氯化銨、四正辛基溴化銨或正十四烷基二甲基芐基氯化銨。

5.如權利要求1所述的組合物，其中，b)具有稠環結構的堿產生劑或酸產生劑通過光照射或加熱而在除了形成為堿或酸的部分以外還具有稠環結構或產生堿或酸而形成稠環結構。

6.如權利要求5所述的組合物，其中，所述稠環結構為蒽環、萘環、芘環、蒽醌環、硫雜蒽酮環、苊環、香豆素環或氧雜蒽酮環。

7.如權利要求5所述的組合物，其中，所述稠環結構為蒽環。

8.如權利要求1所述的組合物，其中，b)具有稠環結構或產生堿或酸而形成稠環結構的堿產生劑或酸產生劑為9-蒽基甲基-1-哌啶羧酸酯。

9.如權利要求1所述的組合物，其中，c)極性有機溶劑為非質子性。

10.如權利要求1所述的組合物，其中，c)極性有機溶劑為γ-丁內酯。

11.一種半導體基板表面的防水處理方法，其特征在于，在波長為200nm以上的光照射下或加熱下，利用權利要求1所述的組合物對具有由含有Si的絕緣層與金屬層層積而形成的圖案的半導體基板進行處理。

12.如權利要求11所述的方法，其中，金屬層是由鎢、鋁、鈦、鉿、含有這些金屬的合金、鉿氧化物或鉿-釔氧化物形成的。