[發明專利]半導體裝置用薄膜以及半導體裝置

有效

• 申請號: 201180042794.2
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN103081068A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 天野康弘;井上剛一
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;B32B7/06;H01L21/52;H01L21/683
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種半導體裝置用薄膜，將在切割薄膜上層疊有膠粘薄膜的帶有切割片的膠粘薄膜以預定的間隔層疊在覆蓋薄膜上而得到，其特征在于，

設所述覆蓋薄膜的厚度為Ta、設所述切割薄膜的厚度為Tb時，Ta/Tb在0.07～2.5的范圍內。

2.如權利要求1所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于，

在溫度23±2℃、剝離速度300mm/分鐘的條件下的T型剝離試驗中，所述膠粘薄膜與所述覆蓋薄膜間的剝離力F1在0.025～0.075N/100mm的范圍內，所述膠粘薄膜與所述切割薄膜間的剝離力F2在0.08～10N/100mm的范圍內，所述F1與所述F2滿足F1<F2的關系。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于，

所述覆蓋薄膜的厚度Ta為10～100μm。

4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置用薄膜，其特征在于，

所述切割薄膜的厚度Tb為25～180μm。

5.一種使用權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置用薄膜制造的半導體裝置。