[發(fā)明專利]多傳感器集成電路設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201180042272.2 | 申請日: | 2011-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN103081110A | 公開(公告)日: | 2013-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | N·A·凱斯特利;D·斯庫爾尼克 | 申請(專利權(quán))人: | 馬克西姆綜合產(chǎn)品公司 |
| 主分類號: | H01L31/00 | 分類號: | H01L31/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;王英 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳感器 集成電路 設(shè)備 | ||
1.一種多傳感器類型集成電路設(shè)備,包括:
a.半導(dǎo)體管芯,包括形成在其上的第一傳感器類型和第二傳感器類型;
b.包圍所述半導(dǎo)體管芯的電絕緣封裝;以及
c.多個與所述半導(dǎo)體管芯耦合且從所述封裝延伸的導(dǎo)電引線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述第一傳感器類型是光學(xué)傳感器且所述第二傳感器類型是磁傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中所述半導(dǎo)體管芯包括塊,進(jìn)一步地,其中所述塊包括多個單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其中每個單元僅僅包括所述光學(xué)傳感器或所述磁傳感器。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其中每個單元包括多傳感器類型傳感器,所述多傳感器類型傳感器包括所述光學(xué)傳感器和所述磁傳感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中每個單元進(jìn)一步包括半透明蓋層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備,進(jìn)一步包括與所述塊耦合的控制電路,其中所述控制電路包括配置為補(bǔ)償光沖擊所述磁傳感器的影響的處理算法。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中每個單元進(jìn)一步包括蓋層,其中所述單元中的至少一個的所述蓋層是不透明的,而剩余單元的所述蓋層是半透明的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備,其中處理來自具有所述不透明蓋層的所述至少一個單元的磁傳感器信號,以確定磁場的存在。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備,其中具有不透明蓋層的所述至少一個單元中的所述光學(xué)傳感器用來測量所述光學(xué)傳感器的暗電流。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中每個單元包括蓋層,其中所述蓋層包括設(shè)置在所述磁傳感器上面的不透明部分以及設(shè)置在所述光學(xué)傳感器上面的半透明部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述第一傳感器類型和所述第二傳感器類型形成在單元中。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述第一傳感器類型和所述第二傳感器類型形成在包括多個單元的塊中。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備,其中所述塊是第一塊,并且進(jìn)一步包括所述第一傳感器類型的第二塊。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述第一傳感器類型形成在第一塊和第二塊中,并且其中所述第二傳感器類型形成在第三塊中。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,進(jìn)一步包括形成在所述半導(dǎo)體管芯上的調(diào)節(jié)塊。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其中所述第一傳感器類型和所述第二傳感器類型都與所述調(diào)節(jié)塊耦合。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備,其中所述第一傳感器類型和所述第二傳感器類型通過多路復(fù)用器而與所述調(diào)節(jié)塊耦合。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其中所述調(diào)節(jié)塊是與所述第一傳感器相關(guān)聯(lián)的第一調(diào)節(jié)塊,并且進(jìn)一步包括與所述第二傳感器相關(guān)聯(lián)的第二調(diào)節(jié)塊。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其中所述調(diào)節(jié)塊包括放大器電路,該放大器電路具有與所述第一傳感器類型和所述第二傳感器類型中的至少一個耦合的輸入端。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的設(shè)備,其中所述調(diào)節(jié)塊進(jìn)一步包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),該模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)具有與所述放大器電路的輸出端耦合的輸入端。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的設(shè)備,其中所述調(diào)節(jié)塊進(jìn)一步包括數(shù)字信號處理器(DSP),該數(shù)字信號處理器(DSP)具有與所述ADC的輸出端耦合的輸入端。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的設(shè)備,其中所述調(diào)節(jié)塊進(jìn)一步包括耦合在所述放大器的輸入端與輸出端之間的增益控制部。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的設(shè)備,其中所述增益控制部的控制輸入端耦合到所述DSP。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,進(jìn)一步包括耦合到所述第一傳感器類型和所述第二傳感器類型中的至少一個的控制電路。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述集成電路設(shè)備形成選自本質(zhì)上包括電腦、電話和手持電子設(shè)備的組的電子設(shè)備的一部分。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于馬克西姆綜合產(chǎn)品公司,未經(jīng)馬克西姆綜合產(chǎn)品公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201180042272.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗設(shè)備、驗證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





