[發明專利]存儲元件的驅動方法及使用存儲元件的存儲裝置

有效

• 申請號: 201180041391.6
• 申請日: 2011-08-25
• 公開（公告）號: CN103081017A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 高橋剛;增田雄一郎;古田成生;角谷透;小野雅敏;林豊;福岡敏美;清水哲夫;庫瑪拉古盧巴蘭·索姆;菅洋志;內藤泰久
• 申請（專利權）人: 獨立行政法人產業技術綜合研究所;株式會社船井電機新應用技術研究所;船井電機株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;H01L27/10;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶寧樂;浦柏明

1.一種存儲元件的驅動方法，

所述存儲元件具有：

絕緣性基板，

第一電極及第二電極，設置于所述絕緣性基板上，

電極間間隙部，設置在所述第一電極與所述第二電極之間，具有納米級的間隙，該納米級的間隙用于產生第一、第二電極之間的電阻值的變化現象；

所述存儲元件能夠從規定的低電阻狀態向規定的高電阻狀態轉換以及能夠從所述高電阻狀態向所述低電阻狀態轉換；

所述存儲元件的驅動方法的特征在于，

在從所述高電阻狀態向所述低電阻狀態轉換時，通過恒流電路向所述存儲元件施加電流脈沖。

2.如權利要求1所述的存儲元件的驅動方法，其特征在于，

所述電流脈沖通過所述恒流電路而使電流值階段性地變化，從而施加所述電流脈沖。

3.一種使用存儲元件的存儲裝置，其特征在于，

具有存儲元件和電流脈沖發生部；

所述存儲元件具有：

絕緣性基板，

第一電極及第二電極，設置于所述絕緣性基板上，

電極間間隙部，設置在所述第一電極與所述第二電極之間，具有納米級的間隙，該納米級的間隙用于產生第一、第二電極之間的電阻值的變化現象；

所述電流脈沖發生部產生電流脈沖，用于進行從高電阻狀態向低電阻狀態的轉換；

所述電流脈沖發生部通過恒流電路向所述存儲元件施加電流脈沖。

4.如權利要求3所述的使用存儲元件的存儲裝置，其特征在于，

所述電流脈沖發生部通過所述恒流電路，以使電流的值階段性地變化的方式施加所述電流。

5.一種使用存儲元件的存儲裝置，其特征在于，

具有存儲元件和電壓脈沖發生部；

所述存儲元件具有：

絕緣性基板，

第一電極及第二電極，設置于所述絕緣性基板上，

電極間間隙部，設置在所述第一電極與所述第二電極之間，具有納米級的間隙，該納米級的間隙用于產生第一、第二電極之間的電阻值的變化現象；

所述存儲元件為多個，各個存儲元件至少與各個恒流元件串聯，從所述電壓脈沖發生裝置向串聯有所述恒流元件的存儲元件中的至少一個施加電壓脈沖。