[發明專利]發射輻射的器件和用于制造發射輻射的器件的方法

有效

• 申請號: 201180041377.6
• 申請日: 2011-08-09
• 公開（公告）號: CN103069592A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 斯特凡·普雷烏斯
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/44;H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;田軍鋒

1.發射輻射的器件（1），具有半導體芯片（2）和轉換元件（3），所述半導體芯片具有帶有設置為用于產生初級輻射的有源區域（23）的半導體本體（20），所述轉換元件設置為用于至少部分地轉換所述初級輻射，其中所述轉換元件（3）借助于連接層（4）固定在所述半導體芯片（2）上并且在所述連接層（4）中構成有輻射轉換材料（45）。

2.根據權利要求1所述的發射輻射的器件，

其中所述連接層在橫向方向上至少局部地超過所述轉換元件。

3.根據權利要求1或2所述的發射輻射的器件，

其中在所述轉換元件中構成窗口（30），穿過所述窗口電接觸或能夠電接觸所述半導體芯片。

4.根據權利要求3所述的發射輻射的器件，

其中所述窗口在所述半導體芯片的俯視圖中構成在所述半導體本體的旁邊。

5.根據權利要求3或4所述的發射輻射的器件，

其中所述連接層在所述半導體芯片的俯視圖中至少局部地與所述窗口重疊。

6.根據權利要求1至5之一所述的發射輻射的器件，

其中所述連接層至少局部地覆蓋在橫向方向上對所述半導體本體限界的側面（201）。

7.根據權利要求1至6之一所述的發射輻射的器件，

其中所述連接層包含聚合物材料。

8.根據權利要求1至7之一所述的發射輻射的器件，

其中所述連接層在所述初級輻射的轉換方面匹配于所述轉換元件。

9.根據權利要求1至8之一所述的發射輻射的器件，

其中所述半導體本體在朝向所述轉換元件的側上不具有電接觸部。

10.用于制造發射輻射的器件（1）的方法，其中借助于連接層（4）將轉換元件（3）固定在半導體芯片上，所述半導體芯片具有帶有設置為用于產生初級輻射的有源區域（23）的半導體本體（20），其中在所述連接層（4）中構成輻射轉換材料（5）。

11.根據權利要求10所述的方法，

其中借助于分配器施加所述連接層（4）。

12.根據權利要求10或11所述的方法，

其中施加用于所述連接層（4）的材料，使得所述材料在設置所述轉換元件時延伸超過在橫向方向上對所述半導體本體限界的側面（201）。

13.根據權利要求10至12之一所述的方法，

其中在固定所述轉換元件之前，在朝向所述轉換元件的側上電接觸所述半導體芯片。

14.根據權利要求10至13之一所述的方法，

其中制造根據權利要求1至9之一所述的發射輻射的器件。