[發明專利]研磨用組合物有效
| 申請號: | 201180041128.7 | 申請日: | 2011-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN103180931A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發明(設計)人: | 蘆高圭史;森永均;田原宗明 | 申請(專利權)人: | 福吉米株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;C09K3/14 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 研磨 組合 | ||
1.一種研磨用組合物,其特征在于,其為含有膠體二氧化硅的研磨用組合物,設膠體二氧化硅的平均長徑比為A(無量綱)、膠體二氧化硅的平均粒徑為D(單位nm)、膠體二氧化硅的粒徑的標準偏差為E(單位nm)、膠體二氧化硅中粒徑為1~300nm的顆粒所占的體積比例為F(單位%)時,由式:A×D×E×F求出的值為350,000以上,并且,膠體二氧化硅中粒徑為1~300nm的顆粒所占的體積比例為90%以上。
2.根據權利要求1所述的研磨用組合物,其中,設膠體二氧化硅的長徑比的標準偏差為B(無量綱)時,由式:A×B×D×E×F求出的值為30,000以上。
3.根據權利要求1或2所述的研磨用組合物,其中,膠體二氧化硅中粒徑為50nm以上并且長徑比為1.2以上的顆粒所占的體積比例為50%以上。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的研磨用組合物,其中,膠體二氧化硅中粒徑超過300nm的顆粒所占的體積比例小于2%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





