[發明專利]低阻抗傳輸線

有效

• 申請號: 201180040984.0
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN103098210A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 布賴恩·P·金斯伯格;維賈伊·B·倫塔拉;斯里納特·M·拉馬斯瓦米;巴赫爾·S·哈龍;碩恩永
• 申請（專利權）人: 德州儀器公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/768;H01L29/92;H01L21/3205
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王璐

技術領域

本發明大體上涉及傳輸線，且更特定而言，涉及用于高頻率應用的低阻抗傳輸線。

背景技術

傳輸線在集成電路(IC)中使用傳輸線單元或元件是眾所周知的。通常，這些傳輸線單元的不同高度可改變單元(及傳輸線)的特征。就是說，阻抗與高度成反比。然而，在阻抗與間隔(布局)規范之間通常存在折衷。此外，許多組件(例如，平衡-不平衡轉換器(balun))使用不同的輸入阻抗。因此，需要具有可變元件以在遵守間隔規范的同時容納不同組件的傳輸線。

發明內容

因此，本發明的實例實施例提供一種裝置。所述裝置包括：在襯底上形成的MOS電容器；在MOS電容器上形成的金屬電容器；以及在金屬電容器上形成的共面波導管。

根據本發明的實例實施例，金屬電容器進一步包括具有相互交叉的第一、第二和第三部分的金屬化層。

根據本發明的實例實施例，金屬化層進一步包括第一金屬化層，且其中共面波導管進一步包括：具有第一、第二和第三部分的第二金屬化層；在第一金屬化層的第一部分與第二金屬化層的第一部分之間所形成的第一組導電通孔；在第一金屬化層的第二部分與第二金屬化層的第二部分之間所形成的第二組導電通孔；以及在第一金屬化層的第三部分與第二金屬化層的第三部分之間所形成的第三組導電通孔。

根據本發明的實例實施例，第一金屬化層進一步包括多個第一金屬化層，其中的每一者具有第一、第二和第三部分。

根據本發明的實例實施例，共面波導管進一步包括：具有第一、第二和第三部分的第三金屬化層；以及在第二金屬化層的第一和第三部分中的至少一者與第三金屬化層之間所形成的第四組導電通孔。

根據本發明的實例實施例，MOS電容器進一步包括：具有第一部分和第二部分的第四金屬化層；在襯底中形成的多個源極/漏極區域；在襯底上形成的多個柵極絕緣體層，其中每一柵極絕緣體層是在至少兩個源極/漏極區域之間形成的；多個柵電極，其中每一柵電極是在柵極絕緣體層的至少一者上形成的；耦合到每一柵電極的搭接片；第七組導電通孔，其中來自第七組的每一導電通孔是在至少一個源極/漏極區域與第四金屬化層的第一部分之間形成的；以及第八組導電通孔，其中來自第八組的每一導電通孔是在搭接片處與第四金屬化層的第二部分之間形成的。

根據本發明的實例實施例，裝置進一步包括在襯底上形成的二極管。

根據本發明的實例實施例，提供一種裝置。裝置包括具有中心分接頭的平衡-不平衡轉換器；以及彼此鄰近以形成傳輸線的多個傳輸線單元，其中傳輸線耦合到中心分接頭，且其中靠近中心分接頭的傳輸線單元的尺寸經設計以具有比遠離中心分接頭的傳輸線單元小的高度，其中每一傳輸線單元包含：在襯底上形成的MOS電容器；在MOS電容器上形成的金屬電容器；以及在金屬電容器上形成的共面波導管。

根據本發明的實例實施例，每一傳輸線單元寬度為約4μm，且其中位于遠離中心分接頭處的每一傳輸線單元的高度為約9.5μm或更高，且其中位于靠近中心分接頭處的每一傳輸線單元的高度為大于約小于約9.5μm。

根據本發明的實例實施例，最靠近中心分接頭的傳輸線單元進一步包括在襯底上形成的二極管。