[發明專利]CMOS成像器的帶電粒子收集器

無效

• 申請號: 201180040266.3
• 申請日: 2011-07-11
• 公開（公告）號: CN103125009A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 丹·韋斯利·奇爾科特;威廉·J·巴尼;約翰·理查德·特羅克塞爾
• 申請（專利權）人: 安立世
• 主分類號: H01J31/58
• 分類號: H01J31/58;H01J29/39;H01J9/233
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李向英

1.一種帶電粒子感應設備，包括：

帶電粒子源；

用于從所述帶電粒子源接收第一部分帶電粒子的多個收集器電極；以及

在所述多個收集器電極周圍形成并與多個收集器電極間隔的網格，所述網格從帶電粒子源接收第二部分帶電粒子，并將響應于所述第二部分所生成的反向散射的帶電粒子定向到相鄰的收集器電極。

2.根據權利要求1所述的帶電粒子感應設備，其中，所述網格是由導電材料制成的。

3.根據權利要求2所述的帶電粒子感應設備，其中，所述網格與所述多個收集器電極電氣隔離。

4.根據權利要求1所述的帶電粒子感應設備，其中，所述多個收集器電極包括具有不同厚度的第一組收集器電極和第二組收集器電極，以及

所述第一組收集器電極與所述第二組收集器電極交錯地排列。

5.根據權利要求1所述的帶電粒子感應設備，其中，每個收集器電極都是以不均勻的形狀形成的。

6.根據權利要求1所述的帶電粒子感應設備，還包括被置于所述源和所述多個收集器電極之間的微通道板（MCP）。

7.根據權利要求1所述的帶電粒子感應設備，其中，每個收集器電極都包括用于接收所述第一部分帶電粒子的入射表面，所述入射表面包括形成井的凹陷的表面。

8.根據權利要求7所述的帶電粒子感應設備，其中，所述井是以矩形形狀和梯形形狀中的一種形成的。

9.根據權利要求7所述的帶電粒子感應設備，其中，所述井將響應于第一部分帶電粒子所生成的反向散射的帶電粒子定向到所述對應的收集器電極。

10.根據權利要求1所述的帶電粒子感應設備，其中，每個收集器電極都包括用于接收所述第一部分帶電粒子的入射表面，所述入射表面包括多個井。

11.根據權利要求10所述的帶電粒子感應設備，其中，所述多個收集器電極被置于介電層上，所述介電層包括對應于相應的收集器電極中的所述多個井的多個井。

12.根據權利要求10所述的帶電粒子感應設備，其中，所述多個井中的井是以矩形形狀或倒金字塔形狀中的一種形成的。

13.一種帶電粒子感應設備，包括：

帶電粒子源；以及

用于從帶電粒子源接收所述帶電粒子的帶電粒子收集表面，所述帶電粒子收集表面包括：

多個收集器電極，以及

在所述多個收集器電極周圍形成并與多個收集器電極間隔的網格，

其中，所述網格以及所述多個收集器電極中的一個包括與所述帶電粒子收集表面間隔的凸起邊緣。

14.根據權利要求13所述的帶電粒子感應設備，其中，每個收集器電極都包括用于接收所述帶電粒子的入射表面，所述入射表面包括至少一個井。

15.根據權利要求13所述的帶電粒子感應設備，其中，所述網格包括所述凸起邊緣。

16.根據權利要求15所述的帶電粒子感應設備，其中，所述網格的凸起邊緣相對于所述帶電粒子收集表面位于相鄰的收集器電極上方。

17.根據權利要求16所述的帶電粒子感應設備，其中，所述網格的凸起邊緣在垂直于所述帶電粒子收集表面的方向與對應的收集器電極重疊。

18.根據權利要求13所述的帶電粒子感應設備，其中，每個收集器電極都包括所述凸起邊緣。

19.根據權利要求18所述的帶電粒子感應設備，其中，所述多個收集器電極包括具有不同厚度的第一組收集器電極和第二組收集器電極，以及

所述第一組收集器電極與所述第二組收集器電極交錯地排列。

20.根據權利要求19所述的帶電粒子感應設備，其中，第一組的凸起邊緣在垂直于所述帶電粒子收集表面的方向與第二組的凸起邊緣重疊。

21.一種形成帶電粒子感應設備的方法，包括：

將多個收集器電極置于帶電粒子收集表面上；以及

將網格置于所述帶電粒子收集表面上，所述網格圍繞多個收集器電極形成并與多個收集器電極間隔。

22.根據權利要求21所述的方法，還包括利用與所述帶電粒子收集表面間隔的凸起邊緣來形成每個收集器電極。