[發明專利]制備三鹵代硅烷的方法

無效

• 申請號: 201180037951.0
• 申請日: 2011-08-25
• 公開（公告）號: CN103052595A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: D·卡佐利斯;羅伯特·托馬斯·拉森;馬修·J·麥克勞克林;溫迪·斯帕蘇
• 申請（專利權）人: 道康寧公司
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 武晶晶;鄭霞

1.一種制備三鹵代硅烷的方法，所述方法包括以下的單獨而連續的步驟：

(i)使銅催化劑與氫氣和四鹵化硅在500-1400℃的溫度下接觸，以形成包含至少0.1％(w/w)硅的含硅的銅催化劑，其中所述銅催化劑所包含的金屬選自銅和包含銅與至少一種選自金、鎂和鉑的元素的混合物；以及

(ii)使所述含硅的銅催化劑與鹵化氫在100-600℃的溫度下接觸，以形成三鹵代硅烷。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括(iii)，使在步驟(ii)中與鹵化氫接觸的所述含硅的銅催化劑與所述氫氣和所述四鹵化硅在500-1400℃的溫度下接觸，以改良包含至少0.1％(w/w)硅的所述含硅的銅催化劑；以及(iv)，使所述經改良的含硅的銅催化劑與所述鹵化氫在100-600℃的溫度下接觸，以形成三鹵代硅烷。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括重復步驟(iii)和(iv)至少1次。

4.根據權利要求2或3所述的方法，還包括在步驟(iv)中使所述經改良的含硅的銅催化劑與所述鹵化氫接觸之前進行沖洗。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述沖洗用氬氣或者四氯化硅進行。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，還包括在步驟(ii)中使所述含硅的銅催化劑與所述鹵化氫接觸之前進行沖洗。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述沖洗用氬氣或者四氯化硅進行。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的方法，其中所述銅催化劑還包含載體。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述銅催化劑包含0.1-35％(w/w)的所述混合物，并且所述混合物包含銅、金和鎂。

10.根據權利要求8或9所述的方法，其中所述載體是活性炭。

11.根據權利要求1-10中任一項所述的方法，其中所述含硅的銅催化劑包含1-5％(w/w)的硅。

12.根據權利要求1-11中任一項所述的方法，其中步驟(i)中氫與四鹵化硅的摩爾比為20∶1-5∶1。

13.根據權利要求1-12中任一項所述的方法，其中步驟(ii)在氫存在下進行。

14.根據權利要求1-13中任一項所述的方法，其中所述三鹵代硅烷的化學式為HSiX₃，其中X為氟、氯、溴或碘。

15.根據權利要求1-14中任一項所述的方法，其中所述鹵化氫為HCl，所述四鹵化硅為SiCl₄，所述三鹵代硅烷為HSiCl₃。

16.根據權利要求1-15中任一項所述的方法，還包括回收所述三鹵代硅烷。

17.根據權利要求1-16中任一項所述的方法，其中所述氫和四鹵化硅的停留時間為1-10s，并且所述鹵化氫的停留時間為1-10s。

18.根據權利要求1-17中任一項所述的方法，其中步驟(ii)中的接觸在7-1000kPag的壓力下進行。

19.根據權利要求1-18中任一項所述的方法，其中步驟(i)在7-1000kPag的壓力下進行。