[發明專利]流體產品的分配設備的表面處理方法

有效

• 申請號: 201180037701.7
• 申請日: 2011-07-01
• 公開（公告）號: CN103108981A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: P·布呂納;D·比薩多;F·蓋爾納萊克
• 申請（專利權）人: 阿普塔爾法國簡易股份公司
• 主分類號: C23C14/48
• 分類號: C23C14/48;A61F9/00;A61L2/16;C08J7/18;H01J37/317;A61J1/00;A61M15/00;B65D1/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 楊勇

1.流體產品分配設備的表面處理方法，其特征在于所述方法包括用多電荷且多能量的離子束通過離子植入對所述設備的至少一部分的至少一個待處理表面進行改性的步驟，改性的所述待處理表面具有抗摩擦性能，所述多電荷離子選自氦（He）、氮（N）、氧（O）、氖（Ne）、氬（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe），離子植入進行至0至3μm的深度。

2.根據權利要求1的方法，其中所述多能量離子用相同的提取電壓同時植入。

3.根據以上權利要求任一項的方法，其中所述待處理表面是合成材料、彈性體、玻璃或金屬材質的，所述合成材料尤其包含聚乙烯（PE）和/或聚丙烯（PP）和/或聚氯乙烯（PVC）和/或聚四氟乙烯（PTFE）。

4.根據以上權利要求任一項的方法，其中該方法還包含通過離子植入向所述待處理表面賦予至少一種附加性能的步驟，例如降低與流體產品的相互作用和/或降低流體產品在改性的待處理表面上的粘附。

5.根據以上權利要求任一項的方法，其中所述分配設備包含劑量計數器，用于對所述分配設備的已分配的或仍有待分配的劑量進行計數。

6.根據以上權利要求任一項的方法，其中所述方法包含用離子處理聚合物實心部件的至少一個表面，所述方法包含用多能量離子X⁺和X²⁺構成的離子束的離子轟擊，其中X是選自氦（He）、氮（N）、氧（O）、氖（Ne）、氬（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe）的離子的原子符號，其中RX=X⁺/X²⁺小于或等于100，例如小于20，X⁺和X²⁺以原子百分比表示，其中在預先步驟中確定束的移動速度，在該步驟中確定不導致聚合物熱降解的束的最小移動速度，所述熱降解由壓力提高10^-5mbar表明。

7.根據權利要求6的方法，其中離子X⁺和X²⁺通過電子回旋加速器共振離子源（RCE）同時產生。

8.根據權利要求6或7任一項的方法，其中比率RX大于或等于1。

9.根據權利要求6至8中任一項的方法，其中能夠實現多能量離子X⁺和X²⁺植入的源的提取電壓在10至400kV之間，例如大于或等于20kV和/或小于或等于100kV。

10.根據權利要求6至9中任一項的方法，其中多能量離子X⁺和X²⁺的劑量在5×10¹⁴至10¹⁸離子/cm²之間，例如大于或等于10¹⁵離子/cm²和/或小于或等于5×10¹⁷離子/cm²，甚至大于或等于5×10¹⁵離子/cm²和/或小于或等于10¹⁷離子/cm²。

11.根據權利要求6至10中任一項的方法，其中在預先步驟中確定實心聚合物部件表面的特征性能的演化隨著多能量離子X⁺和X²⁺劑量的變化，例如做為待處理部件的代表的聚合物材料的表面電阻率ρ，以確定離子劑量的范圍，在該范圍內所選擇的特征性能的變化的有利的，并且以不同的方式在形成所述離子劑量范圍的三個相繼的離子劑量區域中變化，在第一區域中的演化是基本上線性的，并且在小于一個月的期間是可逆的，在第二區域中的演化是基本上線性的，并且在超過一個月的期間是穩定的，最后在第三區域的演化是恒定的，并且在超過一個月的期間是穩定的，并且其中選擇第三離子劑量區域中的多能量離子X⁺和X²⁺的劑量以處理實心聚合物部件。

12.根據權利要求6至11中任一項的方法，其中調整待處理的聚合物部件的表面的移動以及源的參數，使得待處理的聚合物部件表面的表面處理速度在0.5cm²/s至1000cm²/s之間，例如大于或等于1cm²/s和/或小于或等于100cm²/s。