[發(fā)明專利]還原二氧化碳的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180037527.6
• 申請日: 2011-08-25
• 公開（公告）號: CN103038394A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 四橋聰史;出口正洋;山田由佳
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: C25B5/00
• 分類號: C25B5/00;B01J27/24;B01J35/02;C01B3/04;C25B1/00;C25B3/04;C25B11/06
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種使用用于還原二氧化碳的裝置還原二氧化碳的方法，其特征在于，具備以下的工序：

準(zhǔn)備具備以下部分的二氧化碳還原裝置的工序（a），

陰極室、

陽極室、和

固體電解質(zhì)膜，其中，

所述陰極室具備工作電極，

所述工作電極具備金屬或金屬化合物，

所述陽極室具備對電極，

所述對電極在表面具備由氮化物半導(dǎo)體形成的區(qū)域，

在所述陰極室的內(nèi)部保持有第1電解液，

在所述陽極室的內(nèi)部保持有第2電解液，

所述工作電極與所述第1電解液相接，

所述對電極與所述第2電解液相接，

所述固體電解質(zhì)膜夾在所述陰極室和所述陽極室之間，

所述第1電解液含有所述二氧化碳，

所述工作電極與所述對電極電連接，并且，

在所述工作電極和所述對電極之間未電夾置電源；

對所述區(qū)域照射具有250納米以上、400納米以下的波長的光，將所述第1電解液所含有的所述二氧化碳還原的工序（b），

其中，不對工作電極照射所述光。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述氮化物半導(dǎo)體為氮化鎵。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述氮化物半導(dǎo)體為氮化鋁鎵。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：

所述氮化物半導(dǎo)體為n型。

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于：

所述氮化物半導(dǎo)體為n型。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述工作電極具備金屬。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：

所述金屬為銅、金、銀、鎘、銦、錫、鉛或它們的合金。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：

所述金屬為銅。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：

所述金屬為銦。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第1電解液為碳酸氫鉀水溶液、碳酸氫鈉水溶液、氯化鉀水溶液、硫酸鉀水溶液或磷酸鉀水溶液。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于：

所述第1電解液為碳酸氫鉀水溶液。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第2電解液為氫氧化鈉水溶液或氫氧化鉀水溶液。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述工序（b）中，所述裝置放置于室溫且大氣壓下。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述區(qū)域的表面設(shè)置金屬配線，

所述光不僅對所述區(qū)域照射，而且還對所述金屬配線照射。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于：

設(shè)置多根金屬配線，

各所述金屬配線互相平行。

16.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于：

設(shè)置多根金屬配線，

所述多根金屬配線具有網(wǎng)格的形狀。

17.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于：

所述金屬配線具備鈦。

18.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于：

所述金屬配線具備鎳。

19.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于：

所述金屬配線具備鈦／鎳疊層配線。

20.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

在工序（b）中，得到甲酸。

21.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

在工序（b）中，得到一氧化碳。

22.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

在工序（b）中，得到甲烷。

23.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述電源為電池。

24.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

所述電源為恒電位器。