[發明專利]靜電吸盤

無效

• 申請號: 201180037269.1
• 申請日: 2011-08-11
• 公開（公告）號: CN103038874A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 石川佳津子;米澤順治;青島利裕;林田義秀
• 申請（專利權）人: TOTO株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;B23Q3/15
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周善來;李雪春

1.一種靜電吸盤，是具備電介體基板的靜電吸盤，該電介體基板具有：突起部，形成在載放被吸附物側的主面上；及平面部，形成在所述突起部的周圍，其特征在于，

所述電介體基板由多晶陶瓷燒結體形成，

所述突起部的頂面為曲面，在所述頂面上與露出在表面上的晶粒相對應地形成有第1凹部，

所述平面部具有平坦部，在所述平坦部上形成有第2凹部，

所述第1凹部的深度尺寸比所述第2凹部的深度尺寸大。

2.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，所述頂面具有比因吸附力而彎曲的所述被吸附物的撓曲曲線的曲率半徑小的曲率半徑。

3.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，所述第1凹部的深度尺寸和所述第2凹部的深度尺寸比所述多晶陶瓷燒結體的晶粒的平均粒徑小。

4.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，

所述第1凹部的側面為斜面，所述第1凹部的底面和所述第1凹部的側面所成的角度為鈍角，

所述第1凹部的側面與所述頂面相交的部分以及所述第1凹部的側面與所述第1凹部的底面相交的部分呈帶有連續圓角的形狀。

5.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，

所述第2凹部的側面為斜面，所述第2凹部的底面和所述第2凹部的側面所成的角度為鈍角，

所述第2凹部的側面與所述平坦部相交的部分以及所述第2凹部的側面與所述第2凹部的底面相交的部分呈帶有連續圓角的形狀。

6.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，所述平面部具有在所述平面部上開口的多個孔，所述平坦部形成在所述孔的周圍。

7.根據權利要求6所述的靜電吸盤，其特征在于，所述孔的深度尺寸比所述多晶陶瓷燒結體的晶粒的平均粒徑小。

8.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，所述突起部的高度尺寸比所述多晶陶瓷燒結體的晶粒的平均粒徑大。

9.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，所述電介體基板由多晶氧化鋁燒結體形成，所述平均粒徑為1.5μm以下，粒徑分布的標準偏差為1μm以下。

10.根據權利要求9所述的靜電吸盤，其特征在于，所述電介體基板的氧化鋁含有率為99.9wt%以上，假密度為3.96以上，體積電阻率在靜電吸盤的使用溫度區域內為10¹⁴Ωcm以上。

11.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，所述頂面的曲率半徑為20毫米以下。

12.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，

所述第1凹部的深度尺寸為30nm以上、150nm以下，

所述第2凹部的深度尺寸為30nm以下。

13.根據權利要求9所述的靜電吸盤，其特征在于，所述電介體基板的體積電阻率在靜電吸盤的使用溫度區域內為10⁸Ωcm以上、10¹³Ωcm以下。

14.根據權利要求13所述的靜電吸盤，其特征在于，所述電介體基板的氧化鋁含有率為99.4wt%以上。