[發(fā)明專(zhuān)利]閘流管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180036064.1
• 申請(qǐng)日: 2011-06-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103026489A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山·D·唐;約翰·K·查胡瑞;邁克爾·P·瓦奧萊特
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/105
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/105;H01L27/108;H01L21/8239;H01L21/332
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 宋獻(xiàn)濤

優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)

本專(zhuān)利申請(qǐng)案主張2010年6月29日提出申請(qǐng)的第12/826,323號(hào)美國(guó)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，所述美國(guó)申請(qǐng)案以引用的方式并入本文中。

背景技術(shù)

閘流管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(TRAM)提供不需要存儲(chǔ)電容器來(lái)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器狀態(tài)的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。然而，裝置配置至今使用相當(dāng)大量的表面積。需要裝置配置的改善以進(jìn)一步改善存儲(chǔ)器密度。另外，期望使用可靠且有效的制造方法來(lái)形成裝置。

附圖說(shuō)明

圖1展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的實(shí)例性方法的流程圖。

圖2A展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

圖2B展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的若干個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

圖3A展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的示意性配置。

圖3B展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的另一示意性配置。

圖3C展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的另一示意性配置。

圖4展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

圖5A展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器裝置中的制造階段。

圖5B展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器裝置中的另一制造階段。

圖5C展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器裝置的另一制造階段。

圖6展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器裝置中的制造階段。

圖7展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的實(shí)例性控制線配置。

圖8展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的另一實(shí)例性配置。

圖9展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的另一實(shí)例性配置。

圖10展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的另一實(shí)例性配置。

圖11展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的另一實(shí)例性配置。

具體實(shí)施方式

在本發(fā)明的以下詳細(xì)描述中，參考形成本發(fā)明的一部分且其中以圖解說(shuō)明方式展示可實(shí)踐本發(fā)明的特定實(shí)施例的附圖。足夠詳細(xì)地描述這些實(shí)施例以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明。可利用其它實(shí)施例且可做出化學(xué)、結(jié)構(gòu)、邏輯、電改變等。

在以下描述中所使用的術(shù)語(yǔ)“晶片”及“襯底”包括具有借助其形成裝置或集成電路(IC)結(jié)構(gòu)的經(jīng)暴露表面的任何結(jié)構(gòu)。術(shù)語(yǔ)“襯底”應(yīng)理解為包括半導(dǎo)體晶片。術(shù)語(yǔ)“襯底”還用于指代在處理期間的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)且可包括已制作于其上的例如絕緣體上硅(SOI)等其它層。晶片及襯底兩者均包括經(jīng)摻雜及未經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體、由基底半導(dǎo)體或絕緣體支撐的外延半導(dǎo)體層以及所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知的其它半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。術(shù)語(yǔ)“導(dǎo)體”應(yīng)理解為包括半導(dǎo)體，且術(shù)語(yǔ)“絕緣體”或“電介質(zhì)”經(jīng)界定為包括導(dǎo)電性低于稱(chēng)作導(dǎo)體的材料的任何材料。

本申請(qǐng)案中所使用的術(shù)語(yǔ)“水平”經(jīng)界定為平行于晶片或襯底的常規(guī)平面或表面的平面，而不管所述晶片或襯底的定向如何。術(shù)語(yǔ)“垂直”指代垂直于如上文所界定的水平的方向。關(guān)于常規(guī)平面或表面在晶片或襯底的頂表面上而界定例如“在...上”、“側(cè)”(如在“側(cè)壁”中)、“高于”、“低于”、“在...上方”及“在...下方”的介詞，而不管所述晶片或襯底的定向如何。因此，以下詳細(xì)描述不應(yīng)視為具有限制意義，且本發(fā)明的范圍僅由所附權(quán)利要求書(shū)連同授予此權(quán)利要求書(shū)的等效內(nèi)容的全部范圍加以界定。

期望提供可按對(duì)高存儲(chǔ)器密度的增加的需求縮放的存儲(chǔ)器單元。還期望此些方法生產(chǎn)高效且成本低廉。

圖1展示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成存儲(chǔ)器單元的實(shí)例性方法。在后續(xù)各圖中展示且在下文更詳細(xì)地描述使用此方法及其它方法形成的特定單元配置。在操作10中，在第一類(lèi)型半導(dǎo)體部分中形成溝道以形成“U”形部分。在操作20中，在所述溝道內(nèi)形成電介質(zhì)材料，且在操作30中，在所述電介質(zhì)材料上方形成控制線。在操作30中，將第二類(lèi)型半導(dǎo)體植入到所述“U”形部分的頂部部分中以形成一對(duì)經(jīng)植入?yún)^(qū)。操作50敘述在所述經(jīng)植入?yún)^(qū)中的一者上方形成上部第一類(lèi)型半導(dǎo)體部分。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的植入并不需要深植入。植入操作進(jìn)入到襯底中越深，則對(duì)結(jié)晶半導(dǎo)體晶格造成損壞的機(jī)會(huì)越大。因此，較深植入?yún)^(qū)可不像具有較少晶格損壞的淺植入?yún)^(qū)那樣有效地操作。淺植入通常還更易于產(chǎn)生。