[發明專利]具有硅納米粒子的太陽能電池的制造

在審

• 申請號: 201180032561.4
• 申請日: 2011-06-08
• 公開（公告）號: CN103026507A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 戴維·D·史密斯;金太錫
• 申請（專利權）人: 太陽能公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;崔利梅

1.一種制造太陽能電池結構的方法，所述方法包括：

在太陽能電池基板上形成薄電介質層；

通過在所述薄電介質層上印刷P型摻雜硅納米粒子來形成所述太陽能電池結構的第一擴散區；

通過在所述薄電介質層上印刷N型摻雜硅納米粒子來形成所述太陽能電池結構的第二擴散區；以及

通過在低于所述N型摻雜硅納米粒子和所述P型摻雜硅納米粒子熔點的第一溫度下加熱所述N型摻雜硅納米粒子和所述P型摻雜硅納米粒子而在所述薄電介質層上形成連續納米粒子膜。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一溫度下加熱所述N型摻雜硅納米粒子和所述P型摻雜硅納米粒子之前，通過在低于所述第一溫度的第二溫度下加熱所述N型和P型摻雜硅納米粒子以從所述N型摻雜硅納米粒子和所述P型摻雜硅納米粒子中除去有機材料。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述N型摻雜硅納米粒子和所述P型摻雜硅納米粒子在爐中以預定的速率移動時在所述第二溫度下加熱。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述N型摻雜硅納米粒子和所述P型摻雜硅納米粒子通過噴墨印刷技術來印刷。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述N型摻雜硅納米粒子和所述P型摻雜硅納米粒子在噴墨印刷頭的同一次經過時通過噴墨印刷技術來印刷。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述太陽能電池基板包括單晶硅基板。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述薄電介質層包含在所述硅基板的表面上熱生長的二氧化硅。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在印刷所述N型摻雜硅納米粒子和所述P型摻雜硅納米粒子之前在所述薄電介質上形成潤濕劑。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述潤濕劑包含非晶硅。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述N型摻雜硅納米粒子和所述P型摻雜硅納米粒子具有小于10納米的粒度。

11.一種通過權利要求1所述的方法制造的太陽能電池結構。

12.一種制造太陽能電池結構的方法，所述方法包括：

在硅基板的表面上生長二氧化硅；

通過在所述二氧化硅上印刷硅納米粒子形成所述太陽能電池結構的擴散區；

通過在第一溫度下加熱所述納米粒子而從所述納米粒子中除去有機材料；以及

通過在高于所述第一溫度的第二溫度下加熱所述納米粒子而在所述二氧化硅上形成連續納米粒子膜，所述第二溫度低于所述納米粒子的熔點。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述硅納米粒子在噴墨印刷頭的同一次經過時通過噴墨印刷技術來印刷。

14.根據權利要求12所述的方法，還包括：

在印刷所述納米粒子之前，在所述二氧化硅上形成潤濕劑。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述潤濕劑包含非晶硅。

16.根據權利要求12所述的方法，其中所述硅納米粒子具有小于10納米的粒度。

17.一種通過權利要求12所述的方法制造的太陽能電池結構。

18.一種制造太陽能電池結構的方法，所述方法包括：

在太陽能電池基板上形成薄電介質；

通過在所述薄電介質上形成硅納米粒子而形成所述太陽能電池結構的擴散區；以及

在低于所述納米粒子熔點的溫度下加熱所述硅納米粒子。

19.根據權利要求18所述的方法，還包括：

在所述薄電介質和所述擴散區之間形成潤濕劑。

20.一種通過權利要求18所述的方法制造的太陽能電池結構。