[發明專利]電流控制用半導體元件以及使用其的控制裝置

有效

• 申請號: 201180032330.3
• 申請日: 2011-06-02
• 公開（公告）號: CN102971843A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 廣津鐵平;金川信康;田邊至
• 申請（專利權）人: 日立汽車系統株式會社
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/088;H03K17/14;H03K17/695
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王亞愛

1.一種電流控制用半導體元件，其特征在于，

在同一半導體芯片上具有：驅動電流的主MOSFET；和與所述主MOSFET并聯連接，用于分流所述主MOSFET的電流來進行電流檢測的感應MOSFET，

所述主MOSFET使用具有多個溝道并且排列成一列的多指MOSFET而形成，

所述多指MOSFET的一部分的溝道用作所述感應MOSFET用的溝道，

并且，若設從所述多指MOSFET的中心到最遠的溝道為止的距離為L，則將所述多指MOSFET的距中心最接近的位置的溝道用作所述感應MOSFET用的溝道。

2.根據權利要求1所述的電流控制用半導體元件，其特征在于，

構成所述多指MOSFET的MOSFET全部形成為相同圖案。

3.根據權利要求2所述的電流控制用半導體元件，其特征在于，

在所述多指MOSFET的排列方向上，將所述多指MOSFET的距中心處于對稱位置且最接近的位置的溝道用作所述感應MOSFET用的溝道。

4.根據權利要求1所述的電流控制用半導體元件，其特征在于，

進一步地，將與所述排列成一列的多指MOSFET相同形狀的多指MOSFET在所述多指MOSFET的溝道的寬度方向上配置多列來形成多指陣列，

在若將從所述多指陣列的中心到所述多指MOSFET的排列方向上最遠的多指MOSFET為止的距離設為Lx，則距所述多指陣列的中心為的位置，

并且若將從所述多指MOSFET的中心到所述多指MOSFET的溝道的寬度方向上的最遠的溝道為止的距離設為Ly，則將所述選擇的多指MOSFET的距中心最接近的位置的溝道用作所述感應MOSFET用的溝道。

5.根據權利要求4所述的電流控制用半導體元件，其特征在于，

若將從所選擇的多指MOSFET的中心到所述多指MOSFET的溝道的寬度方向上的最遠的溝道為止的距離設為Ly，則將所述選擇的多指MOSFET的距中心最接近的位置的溝道用作所述感應MOSFET用的溝道，

并且，將作為距所述多指陣列的中心最接近的位置的多指MOSFET而選擇的其它的MOSFET用作虛擬元件。

6.一種控制裝置，具有電流控制用半導體元件、和控制該電流控制用半導體元件的微控制器，其特征在于，

所述電流控制用半導體元件在同一半導體芯片上具有：驅動電流的主MOSFET；和與所述主MOSFET并聯連接，用于分流所述主MOSFET的電流來進行電流檢測的感應MOSFET，

所述主MOSFET使用具有多個溝道并且排列成一列的多指MOSFET而形成，

所述多指MOSFET的一部分的溝道用作所述感應MOSFET用的溝道，

并且，若設從所述多指MOSFET的中心到最遠的溝道為止的距離為L，則將所述多指MOSFET的距中心最接近的位置的溝道用作所述感應MOSFET用的溝道。