[發明專利]存儲器及其形成

有效

• 申請號: 201180032004.2
• 申請日: 2011-06-29
• 公開（公告）號: CN102959632A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 山·D·唐;尼尚特·辛哈
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C7/18
• 分類號: G11C7/18;G11C16/02;H01L27/115
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種存儲器，其包括：

在所述存儲器的第一垂直層級處的第一及第二存儲器單元；

在所述存儲器的第二垂直層級處的第一及第二存儲器單元；

選擇性地耦合到在所述第一及第二垂直層級處的所述第一存儲器單元的第一數據線；及

在所述第一數據線上方且選擇性地耦合到在所述第一及第二垂直層級處的所述第二存儲器單元的第二數據線。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其進一步包括選擇柵極，所述選擇柵極包括耦合到所述第一數據線的第一源極/漏極及耦合到在所述第一及第二垂直層級處的所述第一存儲器單元的第二源極/漏極，所述第一源極/漏極與在所述第一及第二垂直層級處的所述第二存儲器單元大致垂直對準，且所述第二源極/漏極與在所述第一及第二垂直層級處的所述第一存儲器單元大致垂直對準。

3.根據權利要求2所述的存儲器，其進一步包括在所述第一及第二垂直層級處的源極/漏極，在所述第一及第二層級處的所述源極/漏極分別耦合到在所述第一及第二垂直層級處的所述第一存儲器單元，在所述第一及第二層級處的所述源極/漏極與所述選擇柵極的所述第二源極/漏極共同地耦合到導體。

4.根據權利要求2所述的存儲器，其中所述第一數據線的第一部分與所述選擇柵極的所述第一源極/漏極大致垂直對準，且所述第一數據線的第二部分從所述第一數據線的所述第一部分偏移。

5.根據權利要求4所述的存儲器，其中所述第二數據線的第一部分與所述第一數據線的所述第二部分大致垂直對準，且所述第二數據線的第二部分從所述第一數據線的所述第一部分偏移。

6.根據權利要求5所述的存儲器，其中所述第二數據線的所述第二部分從所述第一數據線的所述第一部分偏移一中心到中心距離，所述中心到中心距離為在所述第一及第二垂直層級處的所述第一與第二存儲器單元之間的中心到中心距離的約兩倍。

7.根據權利要求2所述的存儲器，其中所述選擇柵極為第一選擇柵極，且所述存儲器進一步包括第二選擇柵極，所述第二選擇柵極包括耦合到所述第二數據線的第一源極/漏極及耦合到在所述第一及第二垂直層級處的所述第二存儲器單元的第二源極/漏極。

8.根據權利要求7所述的存儲器，其中所述第二選擇柵極的所述第一及第二源極/漏極與在所述第一及第二垂直層級處的所述第二存儲器單元大致垂直對準。

9.根據權利要求8所述的存儲器，其進一步包括將第二數據線的與所述第一存儲器單元大致垂直對準的一部分耦合到所述第二選擇柵極的所述第一源極/漏極的導體。

10.根據權利要求1所述的存儲器，其中所述第二數據線的一部分橫跨所述第一數據線的一部分。

11.根據權利要求1所述的存儲器，其中在所述存儲器的所述第一垂直層級處的所述第一及第二存儲器單元分別與在所述存儲器的所述第一垂直層級處的其它第一及第二存儲器單元串聯耦合，且在所述存儲器的所述第二垂直層級處的所述第一及第二存儲器單元分別與在所述存儲器的所述第二垂直層級處的其它第一及第二存儲器單元串聯耦合。

12.根據權利要求1所述的存儲器，其中在所述存儲器的所述第一垂直層級處的所述第一存儲器單元中的至少一者與所述第二存儲器單元中的至少一者共同地耦合到單個存取線，且在所述存儲器的所述第二垂直層級處的所述第一存儲器單元中的至少一者與所述第二存儲器單元中的至少一者共同地耦合到另一單個存取線。

13.根據權利要求1所述的存儲器，其中在所述存儲器的所述第一垂直層級處的所述第一及第二存儲器單元形成于第一半導體上方，所述第一半導體形成于第一金屬層上方，且在所述存儲器的所述第二垂直層級處的所述第一及第二存儲器單元形成于第二半導體上方，所述第二半導體形成于在所述第一半導體上方形成的第二金屬層上方。

14.根據權利要求1所述的存儲器，其中所述第二數據線位于所述第一及第二垂直層級下方。