[發明專利]多層粘合片及電子元件的制造方法有效
| 申請號: | 201180031760.3 | 申請日: | 2011-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN102971839A | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 齊藤岳史;鹿野和典 | 申請(專利權)人: | 電氣化學工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;C09J4/02;C09J7/02;C09J133/04;C09J175/14;C09J183/04;H01L21/301 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 楊黎峰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 粘合 電子元件 制造 方法 | ||
1.一種多層粘合片,其具有基材膜、層合于基材膜的一側表面的粘合層、以及層合于粘合層的露出面的芯片貼膜;
構成粘合層的粘合劑含有(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)、紫外線聚合性化合物(B)、多官能異氰酸酯硬化劑(C)、光聚合引發劑(D)、及硅氧烷聚合物(E);
(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)為(甲基)丙烯酸酯單體的共聚物或(甲基)丙烯酸酯單體與乙烯系化合物單體的共聚物的任一者,(甲基)丙烯酸酯單體與乙烯系化合物單體皆不具有羥基;
紫外線聚合性化合物(B)由氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(B1)與多官能(甲基)丙烯酸酯(B2)所構成,氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(B1)具有10個以上乙烯基,重均分子量Mw為50000以上,且所述重均分子量Mw與數均分子量Mn的比,即分散度Mw/Mn為5以上;
光聚合引發劑(D)具有羥基;
硅氧烷聚合物(E)具有羥基;
在構成粘合層的粘合劑中,(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)為100質量份,紫外線聚合性化合物(B)為5~200質量份,多官能異氰酸酯硬化劑(C)為0.5~20質量份,光聚合引發劑(D)為0.1~20質量份,及硅氧烷聚合物(E)為0.1~20質量份。
2.如權利要求1所述的多層粘合片,其中,氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(B1)是使以二季戊四醇五丙烯酸酯作為主成分的含羥基的丙烯酸酯與異佛爾酮二異氰酸酯的三聚體的異氰酸酯基反應而得到的,多官能(甲基)丙烯酸酯(B2)為二季戊四醇六丙烯酸酯。
3.如權利要求1或2所述的多層粘合片,其中,構成芯片貼膜的組合物具有丙烯酸酯共聚物。
4.一種電子元件的制造方法,包含:
貼附步驟,使用權利要求1至3中任一項所述的多層粘合片,并將多層粘合片貼附在硅晶圓及環形架進行固定;
切割步驟,用切割刀片切割硅晶圓,制成半導體芯片;
拾取步驟,至少照射紫外線或放射線,并從粘合層拾取芯片及芯片貼膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





