[發明專利]儲存材料和由其獲得H-硅烷的方法

有效

• 申請號: 201180031565.0
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN103097294A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 諾伯特·奧尼爾;加瓦德·莫赫森尼;斯文·霍爾;克里斯蒂安·鮑赫;魯門·德爾特舍維
• 申請（專利權）人: 斯帕恩特私人有限公司
• 主分類號: C01B33/04
• 分類號: C01B33/04
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 劉繼富

1.一種用于獲得氫化硅烷(H-硅烷)的儲存材料，其特征在于氫化聚硅烷是純化合物或化合物的混合物，所述化合物具有平均至少6個直接的Si-Si鍵，其取代基主要由氫構成，并且在其組成中取代基：硅的原子比為至少1∶1。

2.根據權利要求1的儲存材料，其特征在于所述氫化聚硅烷：

a)在IR分子振動譜上在低于2300波數的區域內具有其顯著的振動頻帶，

b)在拉曼分子振動譜中在2000-2200波數的區域內具有顯著的振動頻帶，

c)在²⁹Si?NMR譜中在-70ppm到-130ppm的化學位移范圍內具有其顯著的產物信號。

3.根據權利要求1或2的儲存材料，其特征在于所述氫化聚硅烷的平均鏈長大于6并且小于100。

4.根據前述權利要求的任一項的儲存材料，其特征在于所述氫化聚硅烷是無色的到淡黃色的。

5.根據前述權利要求的任一項的儲存材料，其特征在于所述氫化聚硅烷具有小于1％的金屬含量。

6.根據前述權利要求的任一項的儲存材料，其特征在于所述氫化聚硅烷基本不含短鏈的支鏈或環形化合物，并且在短鏈級分中分支點的含量小于2％，按產物混合物作為整體。

7.根據前述權利要求的任一項的儲存材料，其特征在于所述氫化聚硅烷的取代基僅由氫構成。

8.根據前述權利要求的任一項的儲存材料，其特征在于所述氫化聚硅烷主要包含直鏈長鏈。

9.根據前述權利要求的任一項的儲存材料，其特征在于所述氫化聚硅烷是半流體的到固體的。

10.根據前述權利要求的任一項的儲存材料，其特征在于所述氫化聚硅烷能溶解于合適的惰性溶劑中。

11.根據前述權利要求的任一項的儲存材料，其特征在于所述氫化聚硅烷含有小于1原子％的鹵素。

12.一種用于獲得氫化硅烷(H-硅烷)的方法，其特征在于所述氫化硅烷由根據前述權利要求的任一項的儲存材料獲得。

13.根據權利要求12的方法，其特征在于在第一步中制備所述儲存材料和在第二步中由所述儲存材料獲得H-硅烷。

14.根據權利要求12或13的方法，其特征在于所述氫化硅烷(H-硅烷)通過以下合成步驟的一個或更多個從所述儲存材料獲得：

a)氫化聚硅烷(HPS)的熱分解，其優選在0.1-1013hPa的壓力范圍內進行，

b)環硅烷(Si_nH_2n)的開環聚合，其中n＝4、5、6，且其優選在0.1-1013hPa的壓力范圍內進行，

c)催化鏈增長，其優選在1-300巴的壓力范圍內進行，

d)用活性的氫物質處理氫化聚硅烷(HPS)，其優選在0.1-1013hPa的壓力范圍內進行，

e)在低濃度強堿或亞化學計量量的堿存在下或在弱堿的存在下氫化聚硅烷(HPS)的堿水解，其優選在0.1-1013hPa的壓力范圍內進行，

f)將氫化聚硅烷(HPS)與化學氫化劑混合和熱處理，其優選在1-300巴的壓力范圍內進行，

g)將氫化聚硅烷(HPS)與一種或更多種過渡金屬混合并施加氫，其優選在1-300巴的壓力范圍內進行，

h)氫化聚硅烷(HPS)與氫氟酸或含水HF或HF氣體或液體HF的反應，其優選在0.1-1013hPa的壓力范圍內進行。

15.根據權利要求14的方法，其特征在于所述活性的氫物質通過交變電磁場對氫氣的作用獲得或通過放電對氫氣的作用獲得。

16.根據權利要求14的方法，其特征在于氫化硅烷(H-硅烷)的釋放在惰性溶劑中進行。

17.根據權利要求14的方法，其特征在于將氫化聚硅烷(HPS)與一種或更多種過渡金屬混合的步驟通過機械合金化進行。

18.根據權利要求14或17的方法，其特征在于Pt、Pd、Ni和/或Ti用作過渡金屬。

19.根據權利要求14或17的方法，其特征在于一種或更多種過渡金屬以化合物的形式加入。