[發明專利]外延生長基板與半導體裝置、外延生長方法

無效

• 申請號: 201180031556.1
• 申請日: 2011-06-24
• 公開（公告）號: CN102959682A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 生田哲也;日野大輔;柴田智彥
• 申請（專利權）人: 同和電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C30B25/18;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種外延生長基板，其特征為，其是具備硅單結晶基板和由Ⅲ族氮化物半導體在所述硅單結晶基板的主要面上形成的緩沖層的外延生長基板，

所述緩沖層在所述硅單結晶基板的主要面中心部上為單結晶，在所述硅單結晶基板主要面上的所述中心部周圍區域為多結晶。

2.如權利要求1所述的外延生長基板，其特征為，所述硅單結晶基板的主要面為（111）面。

3.如權利要求1或2所述的外延生長基板，其特征為，

在所述硅單結晶基板的主要面中心部施加有鏡面加工，在所述硅單結晶基板主要面上的所述中心部周圍區域施加有粗面加工。

4.如權利要求3所述的外延生長基板，其特征為，

所述中心部周圍經粗面加工的區域的算術平均粗糙度為10nm以上。

5.如權利要求3或4所述的外延生長基板，其特征為，

所述硅單結晶基板于所述主要面外側的外周部具有經錐形加工的斜邊部，該斜邊部施加有粗面加工。

6.如權利要求1至5任一項所述的外延生長基板，其特征為，

所述緩沖層中包含由氮化鋁（AlN）組成的層。

7.如權利要求1至6任一項所述的外延生長基板，其特征為，

所述緩沖層中包含超晶格結構。

8.一種外延生長基板，其特征為，

其由硅單結晶組成，在主要面中心部施加有鏡面加工，在主要面上的所述中心部周圍區域施加有粗面加工。

9.一種半導體裝置，其特征為，

具備權利要求1至8任一項所述的外延生長基板和由Ⅲ族氮化物半導體在該外延生長基板的主要面上形成的能動層。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征為，在所述能動層中，操作電流在與所述主要面平行的方向上流動運作。

11.一種外延生長方法，其特征為,其在單結晶基板的主要面上使由與該單結晶基板不同材料形成的生長層進行異質外延生長，

在對所述單結晶基板主要面的中心部施以鏡面加工、對所述主要面的所述中心部周圍區域施以粗面加工后，使所述生長層進行外延生長。

12.如權利要求11所述的外延生長方法，其特征為：

所述單結晶基板由硅組成，所述生長層由Ⅲ族氮化物半導體構成。