[發(fā)明專利]裝載閘批式臭氧硬化

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180027803.0
• 申請日: 2011-06-16
• 公開（公告）號: CN102934214A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·盧博米爾斯基;J·D·潘松二世;K·H·弗勞德;A·汗;S·文卡特拉馬
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 胡林嶺

1.一種用于以批次模式處理多個(gè)晶圓的基板硬化腔室，所述腔室包括：

垂直對準(zhǔn)外殼，所述外殼具有由內(nèi)部分割器分隔的第一處理區(qū)域及第二處理區(qū)域，所述第一處理區(qū)域直接定位于所述第二處理區(qū)域上方；

多區(qū)域加熱器，所述加熱器操作性耦接至所述外殼，以加熱彼此獨(dú)立的所述第一處理區(qū)域及所述第二處理區(qū)域；

晶圓傳送器，所述傳送器適于固持所述第一處理區(qū)域或所述第二處理區(qū)域內(nèi)的多個(gè)晶圓以用于處理；

第一氣體分配系統(tǒng)及第二氣體分配系統(tǒng)，所述第一氣體分配系統(tǒng)適于經(jīng)由所述第一處理區(qū)域引入處理氣體，所述第二氣體分配系統(tǒng)適于經(jīng)由所述第二處理區(qū)域引入處理氣體；

排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)經(jīng)設(shè)置以排出被引入所述第一處理區(qū)域及所述第二處理區(qū)域中的處理氣體；

支座，所述支座操作性耦接至所述晶圓傳送器，以將所述晶圓傳送器傳送至上部位置及下部位置，在所述上部位置中將所述多個(gè)晶圓定位于所述第二處理區(qū)域中，且在所述下部位置中將所述多個(gè)晶圓定位于所述第一處理區(qū)域中；以及

進(jìn)出門，可在開啟位置與閉合密封位置之間移動所述進(jìn)出門，在所述開啟位置中可將晶圓裝載至所述晶圓傳送器上且從所述晶圓傳送器移除晶圓。

2.如權(quán)利要求1所述的基板硬化腔室，進(jìn)一步包括遠(yuǎn)端等離子體系統(tǒng)，所述遠(yuǎn)端等離子體系統(tǒng)經(jīng)操作性耦接以將活性清潔物質(zhì)引入所述硬化腔室中。

3.如權(quán)利要求1所述的基板硬化腔室，其中所述支座經(jīng)操作性耦接以在基板處理期間旋轉(zhuǎn)所述晶圓傳送器。

4.如權(quán)利要求1所述的基板硬化腔室，其中所述晶圓傳送器固持多個(gè)晶圓，每一晶圓在一連續(xù)水平位置上被支撐在支柱上，所述支柱圍繞相應(yīng)晶圓的外周邊布置。

5.如權(quán)利要求1所述的基板硬化腔室，其中所述晶圓傳送器包括頂部熱絕緣平板及底部熱絕緣平板，可移動所述平板，使所述平板與所述分割器接觸，以在基板處理期間將所述第一處理區(qū)域與所述第二處理區(qū)域之間的流體流通最少化。

6.如權(quán)利要求1所述的基板硬化腔室，其中所述第一氣體分配系統(tǒng)經(jīng)設(shè)置以在所述第一處理區(qū)域中引入蒸汽及執(zhí)行蒸汽退火，且所述第二氣體分配系統(tǒng)經(jīng)設(shè)置以在所述第二處理區(qū)域中引入臭氧及執(zhí)行臭氧硬化。

7.如權(quán)利要求1所述的基板硬化腔室，進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)專用進(jìn)氣口，以在接近所述第一處理區(qū)域及所述第二處理區(qū)域的一邊界的位置處引入溫度控制氣體。

8.如權(quán)利要求1所述的基板硬化腔室，其中所述晶圓傳送器固持三十個(gè)晶圓，所述三十個(gè)晶圓垂直堆迭在所述傳送器內(nèi)。

9.如權(quán)利要求1所述的基板硬化腔室，其中所述第二氣體分配系統(tǒng)包括多個(gè)進(jìn)氣口，所述進(jìn)氣口圍繞所述腔室的內(nèi)周邊的一部分布置，且所述排氣系統(tǒng)包括多個(gè)排氣出口，所述排氣出口圍繞與所述多個(gè)進(jìn)氣口相對的所述腔室的內(nèi)周邊的一部分布置。

10.如權(quán)利要求1所述的基板硬化腔室，其中所述晶圓傳送器將所述多個(gè)晶圓固持于所述傳送器內(nèi)的多個(gè)垂直對準(zhǔn)的晶圓位置中，且對于每一晶圓位置而言，所述第二氣體分配系統(tǒng)包括多個(gè)進(jìn)氣口，所述進(jìn)氣口布置在與相應(yīng)晶圓位置對準(zhǔn)的位置處且圍繞所述腔室的所述內(nèi)周邊的一部分，且所述排氣系統(tǒng)包括多個(gè)排氣出口，在與所述相應(yīng)晶圓位置對準(zhǔn)的所述多個(gè)進(jìn)氣口相對處，所述排氣出口圍繞所述腔室的所述內(nèi)周邊的一部分布置。

11.如權(quán)利要求1所述的基板硬化腔室，其中所述進(jìn)出門操作性耦接至所述第一處理區(qū)域中的所述腔室。

12.一種用于以批次模式處理多個(gè)晶圓的基板處理腔室，所述腔室包括：

垂直對準(zhǔn)外殼，所述外殼具有由內(nèi)部分割器分隔的第一處理區(qū)域及第二處理區(qū)域，所述第一處理區(qū)域直接定位于所述第二處理區(qū)域上方；

多區(qū)域加熱器，所述加熱器操作性耦接至所述外殼，以加熱彼此獨(dú)立的所述第一處理區(qū)域及所述第二處理區(qū)域；

晶圓傳送器，所述傳送器適于固持所述處理腔室內(nèi)的多個(gè)晶圓，及在所述第一處理區(qū)域與所述第二處理區(qū)域之間垂直移動；

氣體分配系統(tǒng)，所述氣體分配系統(tǒng)適于將臭氧引入所述第二區(qū)域中，及將蒸汽引入所述第一處理區(qū)域中；以及

排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)經(jīng)設(shè)置以排出被引入所述第一處理區(qū)域及所述第二處理區(qū)域中的氣體。

13.如權(quán)利要求12所述的基板處理腔室，進(jìn)一步包括進(jìn)出門，所述進(jìn)出門操作性耦接至所述腔室，以允許在所述傳送器定位于所述第一處理區(qū)域中時(shí)，將晶圓傳送至所述晶圓傳送器以及從所述晶圓傳送器傳送晶圓。