[發明專利]等離激元傳感器及其使用方法和制造方法

有效

• 申請號: 201180023132.0
• 申請日: 2011-05-09
• 公開（公告）號: CN102884415A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 田村昌也;加賀田博司;岡弘章;福島獎
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: G01N21/27
• 分類號: G01N21/27
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種等離激元傳感器，具備：

第1金屬層，其具有構成為被供給電磁波的上表面和下表面；和

第2金屬層，其具有與上述第1金屬層的上述下表面對置的上表面，

在上述第1金屬層與上述第2金屬層之間設置構成為被含有介質的試樣填充的中空區域，

在上述第1金屬層的下方和上述第2金屬層的上方中的至少一方物理吸附了多個分析物捕獲體。

2.一種等離激元傳感器，具備：

第1金屬層，其具有構成為被供給電磁波的上表面和下表面；和

第2金屬層，其具有與上述第1金屬層的上述下表面對置的上表面，

在上述第1金屬層與上述第2金屬層之間設置構成為被含有介質的試樣填充的中空區域，

在上述第1金屬層的下方側和上述第2金屬層的上方側中的至少一方側配置分析物捕獲體，

上述分析物捕獲體沒有取向。

3.根據權利要求1或2所述的等離激元傳感器，其中，

在上述第1金屬層與上述第2金屬層之間配置有多個粉體，

在上述粉體的表面上化學吸附有上述分析物捕獲體。

4.根據權利要求3所述的等離激元傳感器，其中，

上述粉體由金屬構成。

5.根據權利要求3所述的等離激元傳感器，其中，

上述粉體由樹狀聚合物構成。

6.根據權利要求1或2所述的等離激元傳感器，其中，

上述等離激元傳感器還具有與上述多個分析物捕獲體一起被物理吸附的添加劑。

7.根據權利要求1或2所述的等離激元傳感器，其中，

上述分析物捕獲體的配置密度存在偏差。

8.根據權利要求1或2所述的等離激元傳感器，其中，

上述等離激元傳感器還具備用于向上述中空區域插入含有分析物的試樣的試樣插入部，

在上述試樣插入部中沒有配置上述分析物捕獲體。

9.一種等離激元傳感器的使用方法，上述等離激元傳感器具有：第1金屬層，具有上表面和下表面；和第2金屬層，具有與上述第1金屬層的上述下表面對置的上表面，在上述第1金屬層與上述第2金屬層之間設置中空區域，在上述第1金屬層的下方側和上述第2金屬層的上方側中的至少一方側物理吸附了多個分析物捕獲體，上述等離激元傳感器的使用方法包括：

利用毛細現象向上述中空區域插入試樣的步驟；

向上述第1金屬層的上述上表面側供給電磁波的步驟；以及

檢測從上述第1金屬層的上述上表面反射或輻射的電磁波的振幅變化和共振波長變化中的至少一方的步驟。

10.一種等離激元傳感器的制造方法，包括：

準備等離激元傳感器構造體的步驟，該等離激元傳感器構造體包括具有構成為被供給電磁波的上表面和下表面的第1金屬層、以及具有與上述第1金屬層的上述下表面對置的上表面的第2金屬層，在上述第1金屬層與上述第2金屬層之間設置中空區域；

利用毛細現象向上述中空區域插入含有分析物捕獲體的介質的步驟；以及

在向上述中空區域插入上述分析物捕獲體之后，通過使上述介質干燥，在上述第1金屬層的下方和上述第2金屬層的上方中的至少一方配置分析物捕獲體的步驟。