[發(fā)明專利]太陽能電池用的多晶硅錠的高輸出制造設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201180021330.3 | 申請日: | 2011-04-05 |
| 公開(公告)號: | CN102934239A | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 文相珍;蘇源郁;具明會;樸東淳 | 申請(專利權(quán))人: | 韓國化學(xué)研究所 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 梁興龍;武玉琴 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 多晶 輸出 制造 設(shè)備 | ||
1.一種通過在真空腔室內(nèi)部使裝入坩堝的原料硅加熱、熔融和冷卻來制造太陽能電池用的多晶硅錠的高輸出制造設(shè)備,所述設(shè)備包括:
多個坩堝,所述多個坩堝在所述真空腔室中彼此分開地水平排列,每個坩堝都裝有原料硅以制造多晶硅錠;
加熱系統(tǒng),所述加熱系統(tǒng)設(shè)置在各個坩堝的外部并且對各個坩堝加熱以使其中的原料硅熔融;以及
冷卻裝置,所述冷卻裝置使所述坩堝冷卻,從而使通過所述加熱系統(tǒng)熔融的硅冷卻并生長成多晶錠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述真空腔室包括呈正方形形狀的空間,并且
在基于穿過所述空間的中點的假想十字線而形成的區(qū)域中設(shè)置有四個坩堝,每個坩堝設(shè)置在每塊區(qū)域中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,所述加熱系統(tǒng)包括:
外部加熱器,所述外部加熱器對每個坩堝的面向所述真空腔室內(nèi)側(cè)的表面加熱;以及
若干內(nèi)部加熱器,每個內(nèi)部加熱器對每個坩堝的面向彼此的表面加熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其中,所述內(nèi)部加熱器呈根據(jù)假想十字線形成的十字形狀并且位于所述坩堝的彼此相對的各表面之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備,其中,所述內(nèi)部加熱器呈通過多次彎曲加熱管而形成的板和多根排列的桿之一的形狀,以與坩堝的表面相對應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備,其中,所述外部加熱器和所述內(nèi)部加熱器還包括用于控制它們的操作和溫度的控制器。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,所述冷卻裝置設(shè)置在所述多個坩堝的底部并且同時冷卻所述多個坩堝。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,所述冷卻裝置分別設(shè)置在每個坩堝的底部并且分別冷卻每個坩堝。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的設(shè)備,還包括:
坩堝支撐架,所述坩堝支撐架安裝成從下面支撐各個坩堝,以及
一個或多個防漏保護板,所述防漏保護板密封所述冷卻裝置的位于所述坩堝支撐架與隔熱層之間的傳遞部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中,所述保護板由石墨形成。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





