[發(fā)明專利]成型體、其制造方法、電子設(shè)備用構(gòu)件和電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201180017366.4 | 申請日: | 2011-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN103249766A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 巖屋涉;近藤健;永繩智史 | 申請(專利權(quán))人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | C08J7/00 | 分類號: | C08J7/00;C23C14/48;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蔡曉菡;孟慧嵐 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 成型 制造 方法 電子 備用 構(gòu)件 電子設(shè)備 | ||
1.成型體,其特征在于,具有在含有聚硅氮烷化合物的層中注入烴系化合物的離子而得到的層。
2.權(quán)利要求1所述的成型體,其特征在于,具有在含有聚硅氮烷化合物的層中,通過等離子體離子注入將烴系化合物的離子注入而得到的層。
3.權(quán)利要求1或2所述的成型體,其特征在于,上述聚硅氮烷化合物是全氫化聚硅氮烷。
4.權(quán)利要求1或2所述的成型體,其特征在于,在40℃、相對濕度90%氣氛下的水蒸氣透過率為0.4g/m2/天以下。
5.權(quán)利要求1或2所述的成型體,其特征在于,表面電阻率為1×1014Ω/□以下。
6.權(quán)利要求1或2所述的成型體的制造方法,其中,具有下述步驟:在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的層的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物的層的表面部注入烴系化合物的離子。
7.權(quán)利要求1或2所述的成型體的制造方法,其中,一邊將在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的層的長的成型物沿一定方向運(yùn)送,一邊向上述含有聚硅氮烷化合物的層中注入烴系化合物的離子。
8.電子設(shè)備用構(gòu)件,其包含權(quán)利要求1或2所述的成型體。
9.電子設(shè)備,其具有權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備用構(gòu)件。
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