[發(fā)明專利]半極性平面III-氮化物半導(dǎo)體基發(fā)光二極管和激光二極管的氮化鋁鎵阻擋層和分離限制異質(zhì)結(jié)構(gòu)(SCH)層

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180017281.6
• 申請日: 2011-04-05
• 公開（公告）號: CN102823088A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: Y-D·林;H·太田;S·納卡姆拉;S·P·德恩巴拉斯;J·S·斯派克
• 申請（專利權(quán)）人: 加利福尼亞大學(xué)董事會
• 主分類號: H01S5/34
• 分類號: H01S5/34
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民;陸惠中

相關(guān)申請的交叉參考

本申請根據(jù)美國法典第35條119(e)款要求由You-Da?Lin、Hiroaki?Ohta、Shuji?Nakamura、Steven?P.DenBaars和James?S.Speck在2010年4月5日提交的名稱為“半極性平面III-氮化物半導(dǎo)體基發(fā)光二極管和激光二極管的AlGaN阻擋層和分離限制異質(zhì)結(jié)構(gòu)(SCH)層（AlGaN?BARRIERS?AND?SEPARATE?CONFINEMENT?HETEROSTRUCTURE(SCH)LAYERS?FOR?SEMIPOLAR?PLANE?III-NITRIDE?SEMICONDUCTOR-BASED?LIGHT?EMITTING?DIODES?AND?LASER?DIODES）”，代理人案號為30794.367-US-P1(2010-544-1)的共同未決和共同受讓的美國臨時專利申請序列號61/320,954的權(quán)益；

在此將該申請引入作為參考。

本申請涉及下列共同未決和共同受讓的美國專利申請：

由DanielF.Feezell、Mathew?C.Schmidt、Kwang?Choong?Kim、Robert?M.Farrell、Daniel?A.Cohen、James?S.Speck、Steven?P.DenBaars和Shuji?Nakamura在2008年2月12日提交的名稱為“無Al(x)Ga(1-x)N包層的非極性GaN基激光二極管和LED（Al(x)Ga(1-x)N-CLADDING-FREE?NON?POLAR?GAN-BASED?LASER?DIODES?AND?LEDS）”，代理人案號為30794.222-US-U1(2007-424)的美國實用新型專利申請序列號12/030,117，該申請根據(jù)美國法典第35條119(e)款要求由Daniel?F.Feezell、Mathew?C.Schmidt、Kwang?Choong?Kim、Robert?M.Farrell、Daniel?A.Cohen、James?S.Speck、Steven?P.DenBaars和Shuji?Nakamura在2007年2月12日提交的名稱為“無Al(x)Ga(1-x)N包層的非極性GaN基激光二極管和LED（Al(x)Ga(1-x)N-CLADDING-FREE?NONPOLAR?GAN-BASED?LASER?DIODES?AND?LEDS）”，代理人案號為30794.222-US-P1(2007-424-1)的美國臨時專利序列號60/889,510的權(quán)益；

由Arpan?Chakraborty、You-Da?Lin、Shuji?Nakamura和Steven?P.DenBaars在2010年6月7日提交的名稱為“不對稱包層的激光二極管（ASYMMETRICALLY?CLADDED?LASER?DIODE）”，代理人案號30794.314-US-WO?(2009-614-2)的PCT國際專利申請序列號US2010/37629，該申請根據(jù)美國法典第35條119(e)款要求由Arpan?Chakraborty、You-Da?Lin、Shuji?Nakamura和Steven?P.DenBaars在2009年6月5日提交的名稱為“不對稱包層的激光二極管（ASYMMETRICALLY?CLADDED?LASER?DIODE）”，代理人案號為30794.314-US-P1(2009-614-1)的美國臨時申請序列號61/184,668的權(quán)益；