[發(fā)明專利]由陶瓷材料制成的物體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201180017241.1
• 申請日: 2011-03-11
• 公開（公告）號: CN103037830A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·斯蒂芬
• 申請（專利權(quán)）人: 斯特勞曼控股公司
• 主分類號: A61K6/02
• 分類號: A61K6/02;C04B35/486
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐晶;權(quán)陸軍

1.由穩(wěn)定劑穩(wěn)定的陶瓷材料制成的物體，其特征在于所述物體包括由物體表面延伸至預(yù)定深度的表層區(qū)，所述穩(wěn)定劑富集在所述表層區(qū)中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的物體，其特征在于在表層區(qū)中，陶瓷材料的穩(wěn)定劑比例高于所述物體其余部分中的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的物體，其特征在于在表層區(qū)中，穩(wěn)定劑的比例從預(yù)定深度到表面持續(xù)增加。

4.根據(jù)任一項前述權(quán)利要求的物體，其特征在于所述穩(wěn)定劑選自釔、鈰及其各自的氧化物。

5.根據(jù)任一項前述權(quán)利要求的物體，其特征在于表層區(qū)從物體表面延伸的深度為至少20nm，更優(yōu)選至少50nm，最優(yōu)選至少100nm。

6.根據(jù)任一項前述權(quán)利要求的物體，其特征在于所述物體的至少一部分表面具有表面粗糙度。

7.根據(jù)任一項前述權(quán)利要求的物體，其特征在于所述物體由包括氧化鋯的陶瓷材料制成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的物體，其特征在于所述氧化鋯為氧化釔穩(wěn)定的。

9.根據(jù)任一項前述權(quán)利要求的物體，其特征在于在表層區(qū)中的陶瓷材料晶體結(jié)構(gòu)使得單斜晶相的比例至多與所述物體其它部分中的一樣高。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的物體，其特征在于在表層區(qū)中的陶瓷材料晶體結(jié)構(gòu)使得單斜晶相的比例小于20％。

11.根據(jù)任一項前述權(quán)利要求的物體的制造方法，所述方法包括以下的步驟：將穩(wěn)定劑施用到由陶瓷材料制成的本體表面，并在一定溫度下加熱具有施用在其上的穩(wěn)定劑的本體，使得至少一部分穩(wěn)定劑擴散進入到陶瓷材料中。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，進一步包括在施用穩(wěn)定劑之前，通過消減處理使本體的至少一部分表面變粗糙的步驟。

13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其特征在于所述消減處理包括蝕刻步驟。

14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于所述消減處理進一步包括在蝕刻步驟之前的噴砂步驟。

15.根據(jù)權(quán)利要求11至14中任一項的方法，其特征在于通過溶膠-凝膠法特別是浸漬涂層法、通過化學蒸氣沉積、通過物理氣相沉積和/或通過離子注入將穩(wěn)定劑施用到本體表面。

16.通過根據(jù)權(quán)利要求11至15中任一項的方法可獲得的物體。

17.權(quán)利要求1至10和16中任一項的物體作為植入物，特別是牙齒植入物的用途。

18.由穩(wěn)定劑穩(wěn)定的陶瓷材料制成的物體，其特征在于所述物體包括由物體表面延伸至預(yù)定深度的表層區(qū)，所述陶瓷材料晶體結(jié)構(gòu)的單斜晶相含量在所述表層區(qū)中降低。