[發明專利]平面結構EBG

無效

• 申請號: 201180017228.6
• 申請日: 2011-04-19
• 公開（公告）號: CN102834974A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 井上大輔
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社;古河AS株式會社
• 主分類號: H01Q15/14
• 分類號: H01Q15/14
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343
• 代理人: 尚志峰;汪海屏

技術領域

本發明涉及一種采用平面結構的EBG抑制傳播的技術，尤其涉及在難以確保充裕的空間的情況下，在較小空間內能夠得到高效的抑制電波傳播效果的平面結構EBG。

背景技術

最近，正在進行利用EBG（Electromagnetic?Band?Gap：電磁帶隙）結構抑制對象電波傳播的研究開發，其中該EBG結構中，周期性配置了小于對象波長的指定結構。

例如，可以利用EBG結構抑制天線中的無用放射，或抑制電波的傳播（參照專利文獻1）。

EBG是將半導體工學的能帶理論適用于微波或毫米波等電磁波領域的，例如以金屬材料形成小于作為對象的電磁波波長的周期結構。

由于以金屬材料形成小于作為對象的電磁波波長的周期結構的EBG結構，微波或毫米波根據其頻率有時無法存在于該結構中，有時存在于該結構中。因此，可以利用EBG結構可以抑制電波傳播，或者使電波通過，從而將EBG結構用于天線等中抑制無用反射或抑制傳播。

作為導體圖案配置在基板上的EBG有專利文獻1中公開的采用通孔的結構（下面稱為3D結構）和平面結構等兩種，本申請涉及平面結構的EBG。

先行技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-283381號公報

平面結構的EBG中不需要設置3D結構中需要使用的通孔，因此，與3D結構的EBG相比，從成本或制造方法方面具有優點。相反，與3D結構的EBG相比，平面結構的EBG的每個EBG元件的尺寸較大，周期性排列相同形狀的EBG元件時需要較大空間。

利用EBG結構抑制傳播時，重復指定數量的相同的EBG元件列才能獲得期望的抑制特性，因此優選重復排列充分數量的列。

但是，在實際實現產業化時，需要在有限的空間內配置各種部件。因此，有時無法確保用于形成獲得期望的功能所需要的EBG的周期結構的充分空間。這樣，用于周期排列的空間不足時，周期結構的重復數量少，導致抑制傳播特性下降。

另外，在周期排列為原則的EBG結構中，有時作為未使用狀態的空間剩下不足一個平面結構的EBG元件的空間。如上所述，目前，在EBG結構中，不足一個元件尺寸的半截的剩余空間作為無法利用的空間，在EBG結構中被認為是無法利用的死角。

發明內容

鑒于上述問題，本發明的目的在于提供一種平面EBG結構，在配置EBG的空間狹窄，且不得不減少EBG元件的重復配置列數量（周期結構）的設計環境下能夠更加有效地提高抑制電波傳播效果。

鑒于上述現有技術問題，在本發明通過將周期結構排列的EBG元件形成為在一個元件的中途切斷的形狀，解決上述問題。

根據本發明第一方面的平面EBG結構是排列多個平面EBG元件的平面EBG結構，其特征在于，至少任意一個端部列的平面EBG元件列在指定位置被切斷。

根據該方面，在基板上周期排列平面EBG元件的空間不夠充分，且剩下小于一個平面EBG元件分的空間時，從中途切斷平面EBG元件，將平面EBG元件列的形狀形成為能夠配置在端部列的空間內的形狀后排列平面EBG，從而與減少一個平面EBG元件列時相比，能夠提高抑制電波傳播效果。

根據本發明的第二方面的平面EBG結構，其特征在于，所述平面EBG結構將所述切斷的形狀的平面EBG元件列的EBG導體連接于地面。根據該方面，能夠進一步提高抑制傳播效果。

根據本發明的第三方面的平面EBG結構，其特征在于，在至少任意一個端部列，所述平面EBG元件具有留下該平面EBG元件的寬度的3/4以上而被切斷的形狀。與將平面EBG元件寬度切下超過1/4時相比，無需進行任何其他處理，也可以獲得較高的抑制電波傳播效果。

根據本發明的第四方面的平面EBG結構，其特征在于，在至少任意一個端部列，所述平面EBG元件具有留下該平面EBG元件的寬度的少于1/4而被切斷的形狀，并且被切斷的形狀的各平面EBG元件連接于地面。

根據該方面，通過將切斷的端部列的平面EBG元件連接于地面，即使將平面EBG元件切下元件寬度的大于1/4，與減少一個重復周期排列時相比，也能夠獲得更高的抑制電波傳播效果。

根據本發明的第五方面的平面EBG結構，其特征在于，平面EBG結構將所述被切斷的形狀的平面EBG元件列的各平面EBG元件通過通孔連接于地面。通過通孔，不會占有空間，可以確切地將各平面EBG元件落到地面。