[發明專利]制造半導體單晶的方法

有效

• 申請號: 201180017185.1
• 申請日: 2011-03-28
• 公開（公告）號: CN102859050A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 櫻田隆;川瀨智博;羽木良明
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B27/00;C30B29/40
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種制造半導體單晶的方法，所述方法包括：

在生長容器(10)的內壁上形成氧化硼膜(31)的步驟，所述生長容器(10)具有底部和與所述底部連續的主體部；

使所述氧化硼膜(31)與含氧化硅的氧化硼熔融液(33)接觸以在所述生長容器(10)的內壁上形成含氧化硅的氧化硼膜(32)的步驟；

在所述生長容器(10)的內部和布置在所述底部的晶種(20)上方布置原料熔融液(34)的步驟；以及

從所述晶種(20)側固化所述原料熔融液(34)以生長半導體單晶的步驟。

2.根據權利要求1所述的制造半導體單晶的方法，其中所述形成含氧化硅的氧化硼膜(32)的步驟包括：

在所述生長容器(10)中布置含氧化硅的氧化硼熔融液(33)的步驟；和

在預定的溫度下將所述含氧化硅的氧化硼熔融液(33)與形成在所述生長容器(10)的內壁上的所述氧化硼膜(31)接觸的狀態保持預定的時間的步驟。

3.根據權利要求1所述的制造半導體單晶的方法，其中，通過加熱所述生長容器(10)以熔化布置在所述生長容器(10)中的含氧化硅的氧化硼的固體(23)，將所述含氧化硅的氧化硼熔融液(33)布置在所述生長容器(10)中。

4.根據權利要求3所述的制造半導體單晶的方法，其中包含在所述含氧化硅的氧化硼的固體(23)中的氧化硅是二氧化硅。

5.根據權利要求4所述的制造半導體單晶的方法，其中，在所述含氧化硅的氧化硼的固體(23)中，所述二氧化硅的濃度為1摩爾%以上且12摩爾%以下。

6.根據權利要求1所述的制造半導體單晶的方法，其中所述生長容器(10)由氮化硼、熱解氮化硼、熱解石墨、石墨、玻璃碳、碳化硅、氧化鋁、氧化鋯、氮化硅或石英制成。

7.根據權利要求1所述的制造半導體單晶的方法，其中，在形成所述氧化硼膜(31)之前，將所述晶種(20)置于所述生長容器(10)中。

8.根據權利要求1所述的制造半導體單晶的方法，其中，在形成所述含氧化硅的氧化硼膜(32)之前，將所述晶種(20)置于形成有所述氧化硼膜(31)的所述生長容器(10)中。

9.根據權利要求8所述的制造半導體單晶的方法，其中，在所述形成氧化硼膜(31)的步驟中，通過在所述生長容器(10)的內壁上形成含氮化硼的膜，并在氧氣氣氛下或包含氧氣的混合氣體氣氛下對所述含氮化硼的膜進行熱處理，從而在所述生長容器(10)的內壁上形成所述氧化硼膜(31)。

10.根據權利要求9所述的制造半導體單晶的方法，其中通過濺射或氣相淀積在所述生長容器(10)的內壁上形成所述含氮化硼的膜。

11.根據權利要求9所述的制造半導體單晶的方法，其中通過在所述生長容器(10)的內壁上噴霧或涂布液體而形成所述含氮化硼的膜，其中所述液體是氮化硼粉末與溶劑的混合物。

12.根據權利要求8所述的制造半導體單晶的方法，其中，在所述形成氧化硼膜(31)的步驟中，通過在所述生長容器(10)的內壁上形成含氧化硼或硼酸的膜，并對所述含氧化硼或硼酸的膜進行熱處理，從而在所述生長容器(10)的內壁上形成述氧化硼膜(31)。

13.根據權利要求12所述的制造半導體單晶的方法，其中通過濺射或氣相淀積在所述生長容器(10)的內壁上形成所述含氧化硼或硼酸的膜。

14.根據權利要求12所述的制造半導體單晶的方法，其中通過在所述生長容器(10)的內壁上噴霧或涂布液體而形成所述含氧化硼或硼酸的膜，其中所述液體是氧化硼粉末或硼酸粉末與溶劑的混合物。

15.根據權利要求8所述的制造半導體單晶的方法，其中，所述生長容器(10)由氮化硼或熱解氮化硼制成，且所述形成氧化硼膜(31)的步驟包括對所述生長容器(10)的內壁進行氧化處理以在所述生長容器(10)的內壁上形成所述氧化硼膜(31)的步驟。

16.根據權利要求1所述的制造半導體單晶的方法，其中，通過熔化固體原料(22)而將所述原料熔融液(34)布置在所述晶種(20)上方，所述固體原料(22)包含構成所述半導體單晶的化合物半導體(22)和摻雜到所述半導體單晶中的摻雜劑(24)。