[發明專利]形成具有無芯封裝件的功能化載體結構有效
| 申請號: | 201180017148.0 | 申請日: | 2011-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN102834906A | 公開(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發明(設計)人: | R·K·納拉;H·R·阿茲米;J·S·古扎克;J·S·岡薩雷斯;D·W·德萊尼 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 錢慰民 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 有無 封裝 功能 載體 結構 | ||
1.一種方法,包括:
在載體材料中形成空腔,其中所述載體材料包括由蝕刻停止層隔開的頂層和底層;
將管芯附連在所述空腔內;
與所述管芯毗鄰地并所述載體材料底層上形成絕緣材料;
通過在所述絕緣材料上堆積多個層來形成無芯襯底;以及
從所述載體材料的底層去除所述載體材料頂層和蝕刻停止層。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述載體材料的底層保持附連于所述無芯襯底。
3.如權利要求2所述的方法,其特征在于,所述載體材料的底層包括熱擴散器、EMI屏蔽結構和加固結構中的至少一者。
4.如權利要求3所述的方法,其特征在于,所述加固結構包括在所述管芯周圍的銅環。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括當所述載體材料頂層和蝕刻停止層位于所述無芯襯底上時將所述載體材料頂層和蝕刻停止層去除。
6.如權利要求4所述的方法,其特征在于,所述加固結構不采用粘附劑地附連于所述襯底。
7.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述載體材料包括銅。
8.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述無芯襯底包括一部分無芯、無焊點的堆積層封裝件。
9.一種方法,包括:
將管芯附連于載體材料,其中所述載體材料包括由蝕刻停止層隔開的頂層和底層;
與所述管芯毗鄰地并在所述載體材料的底層上形成絕緣材料;
在所述管芯區內形成管芯焊盤互連結構;
在非管芯區內形成通孔以與所述底層載體材料相連;
通過在所述絕緣材料上堆積多個層來形成無芯襯底;以及
從所述底層載體材料去除所述頂層載體材料和蝕刻停止層。
10.如權利要求9所述的方法,其特征在于,還包括對所述底層載體材料布圖以形成電感器和PoP焊區結構中的至少一者。
11.如權利要求9所述的方法,其特征在于,所述底層載體材料不采用粘合劑地附連于所述無芯封裝件。
12.如權利要求9所述的方法,其特征在于,所述無芯襯底包括一部分無芯、無焊點的堆積層封裝件。
13.如權利要求10所述的方法,其特征在于,所述PoP焊區結構的頂表面與所述無芯無焊點堆積封裝件的頂表面共面。
14.一種結構,包括:
嵌入到無芯襯底中的管芯;
與所述管芯毗鄰的絕緣材料;
設置在所述管芯的管芯焊盤區內的管芯焊盤互連結構;以及
設置在所述無芯襯底中的至少一個功能化載體結構,其中所述至少一個功能化載體結構的頂表面與所述無芯襯底的頂表面共面。
15.如權利要求14所述的結構,其特征在于,所述至少一個功能化結構包括銅材料。
16.如權利要求14所述的結構,其特征在于,所述無芯襯底包括一部分無芯無焊點堆積封裝件結構。
17.如權利要求14所述的結構,其特征在于,所述至少一個功能化載體結構包括加固結構、熱擴散器和EMI屏蔽中的至少一者。
18.如權利要求14所述的結構,其特征在于,所述功能化載體結構不采用粘合劑地附連于所述無芯封裝件。
19.如權利要求18所述的結構,其特征在于,所述功能化載體結構包括銅。
20.如權利要求16所述的結構,其特征在于,所述管芯與所述功能化載體結構的頂表面共面,并且所述管芯被完全嵌入到所述無芯襯底中。
21.一種結構,包括:
嵌入到無芯襯底中的管芯;
與所述管芯毗鄰的絕緣材料;
設置在所述管芯的管芯焊盤區內的管芯焊盤互連結構;
設置在非管芯區內的無芯襯底中的通孔,所述通孔與功能化載體結構相連,其中所述功能化載體結構被設置在所述無芯襯底中,并且所述功能化載體結構的頂表面與所述無芯襯底的頂表面共面。
22.如權利要求21所述的結構,其特征在于,所述功能化載體結構包括銅材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





