[發(fā)明專利]半導體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201180017087.8 | 申請日： | 2011-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN102834922A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 錢孟清 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
絕緣膜；
所述絕緣膜上與所述絕緣膜接觸的第一金屬氧化物膜；
其一部分與所述第一金屬氧化物膜接觸的氧化物半導體膜；
與所述氧化物半導體膜電連接的源電極及漏電極；
其一部分與所述氧化物半導體膜接觸的第二金屬氧化物膜；
所述第二金屬氧化物膜上與所述第二金屬氧化物膜接觸的柵極絕緣膜；以及
所述柵極絕緣膜上的柵電極。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一金屬氧化物膜及所述第二金屬氧化物膜都含有所述氧化物半導體膜的構成元素。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一金屬氧化物膜及所述第二金屬氧化物膜都具有比所述氧化物半導體膜的能隙大的能隙。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一金屬氧化物膜及所述第二金屬氧化物膜的導帶底的能量都比所述氧化物半導體膜的導帶底的能量高。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一金屬氧化物膜及所述第二金屬氧化物膜都含有氧化鎵。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一金屬氧化物膜的構成元素的比例與所述第二金屬氧化物膜的構成元素的比例相等。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述絕緣膜含有氧化硅。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵極絕緣膜含有氧化硅或氧化鉿。
9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二金屬氧化物膜設置成覆蓋所述源電極及所述漏電極且與所述第一金屬氧化物膜接觸。
10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，所述氧化物半導體膜被所述第一金屬氧化物膜及所述第二金屬氧化物膜圍繞。
11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，溝道長度方向上的所述氧化物半導體膜的側邊緣與溝道長度方向上的所述第一金屬氧化物膜的側邊緣對齊。
12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，溝道長度方向上的所述氧化物半導體膜的側邊緣與溝道長度方向上的所述第二金屬氧化物膜的側邊緣對齊。
13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，第一絕緣膜設置成覆蓋所述柵極絕緣膜及所述柵電極。
14.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，導電膜設置在所述氧化物半導體膜的下方。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
