[發(fā)明專(zhuān)利]電路基板、顯示裝置和電路基板的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201180017085.9
• 申請(qǐng)日: 2011-01-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102822981A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 村井淳人;田中信也;北川英樹(shù);今井元;今出光則;菊池哲郎;森本一典;嶋田純也;西村淳
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 夏普株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/146
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種電路基板，其特征在于：

所述電路基板包括多個(gè)晶體管元件，所述多個(gè)晶體管元件以與配置為矩陣狀的像素對(duì)應(yīng)或者與所述像素的規(guī)定數(shù)量的一組對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置于同一絕緣性基板上，

所述多個(gè)晶體管元件中的至少一個(gè)為第一薄膜晶體管元件，所述第一薄膜晶體管元件包括氧化物半導(dǎo)體作為溝道層，

所述多個(gè)晶體管元件的至少另一個(gè)為第二薄膜晶體管元件，所述第二薄膜晶體管元件包括（a）非晶硅半導(dǎo)體、（b）微晶硅半導(dǎo)體、或?qū)⑦@些（a）（b）的半導(dǎo)體疊層而得的半導(dǎo)體作為溝道層，

所述第一薄膜晶體管元件和所述第二薄膜晶體管元件均為底部柵極型的晶體管。

2.如權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于：

所述第一薄膜晶體管元件的柵極電極和所述第二薄膜晶體管元件的柵極電極由同一導(dǎo)電層形成，并且，

所述第一薄膜晶體管元件的源極電極和漏極電極以及所述第二薄膜晶體管元件的源極電極和漏極電極由同一導(dǎo)電層形成。

3.如權(quán)利要求1或2所述的電路基板，其特征在于：

在所述第一薄膜晶體管元件的所述溝道層與柵極電極之間夾持有以SiO₂為主要成分的柵極絕緣膜，

在所述第二薄膜晶體管元件的所述溝道層與柵極電極之間，自溝道層一側(cè)起依次疊層并夾持有以SiN_X為主要成分的柵極絕緣膜和以SiO₂為主要成分的柵極絕緣膜，并且，

在所述第一薄膜晶體管元件的柵極絕緣膜和所述第二薄膜晶體管元件的柵極絕緣膜中共用的SiO₂的層作為同一層形成。

4.如權(quán)利要求1或2所述的電路基板，其特征在于：

在所述第一薄膜晶體管元件的所述溝道層與柵極電極之間，自溝道層一側(cè)起依次疊層并夾持有以SiO₂為主要成分的柵極絕緣膜和以SiN_X為主要成分的柵極絕緣膜，

在所述第二薄膜晶體管元件的所述溝道層與柵極電極之間夾持有以SiN_X為主要成分的柵極絕緣膜，并且，

在所述第一薄膜晶體管元件的柵極絕緣膜和所述第二薄膜晶體管元件的柵極絕緣膜中共用的SiN_X的層作為同一層形成。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電路基板，其特征在于：

所述第一薄膜晶體管元件和所述第二薄膜晶體管元件構(gòu)成光傳感器電路，

所述第一薄膜晶體管元件承擔(dān)所述光傳感器電路的傳感器輸出的作用，

所述第二薄膜晶體管元件承擔(dān)所述光傳感器電路的光傳感器元件的作用。

6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電路基板，其特征在于：

所述電路基板包括保護(hù)電路，所述保護(hù)電路對(duì)成為所述多個(gè)晶體管元件的一部分的第一晶體管元件進(jìn)行電路上的保護(hù)，且包括成為所述多個(gè)晶體管元件的一部分的第二晶體管元件，

所述第一晶體管元件包括所述第一薄膜晶體管元件，

所述第二晶體管元件包括所述第二薄膜晶體管元件。

7.一種顯示裝置，其特征在于：

所述顯示裝置包括權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的電路基板。

8.一種電路基板的制造方法，其特征在于：

其是在同一絕緣性基板上形成第一薄膜晶體管元件和第二薄膜晶體管元件的電路基板的制造方法，其中，所述第一薄膜晶體管元件與所述第二薄膜晶體管元件的形成溝道層的半導(dǎo)體的種類(lèi)不同，

所述電路基板的制造方法包括：

第一工序，通過(guò)形成于所述絕緣性基板上的同一導(dǎo)電層的圖案化，形成所述第一薄膜晶體管元件和所述第二薄膜晶體管元件的各柵極電極；

第二工序，在所述各柵極電極上形成柵極絕緣膜；和

第三工序，在形成所述第一薄膜晶體管元件和所述第二薄膜晶體管元件的各溝道層后，通過(guò)同一導(dǎo)電層的圖案化，形成所述第一薄膜晶體管元件和所述第二薄膜晶體管元件的源極電極和漏極電極。