[發明專利]集成電路保護環

有效

• 申請號: 201180016165.2
• 申請日: 2011-03-15
• 公開（公告）號: CN102822957A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: B·詹森;C·Y·朱
• 申請（專利權）人: 阿爾特拉公司
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76;H01L21/336
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種制造具有襯底的集成電路的方法，所述方法包括：

在所述襯底中形成包括密度屈從結構的保護環；以及

拋光所述集成電路，其中所述密度屈從結構確保得到的經拋光的表面的平坦度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述保護環包括在所述保護環中形成淺溝槽隔離結構，其中所述密度屈從結構包括所述淺溝槽隔離結構。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：

在所述淺溝槽隔離結構的頂部形成多晶硅虛設柵極結構，其中所述密度屈從結構包括所述多晶硅虛設柵極結構。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括：

在不具有所述淺溝槽隔離結構的所述保護環的區域上形成金屬接觸。

5.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述保護環包括使用棋盤圖案在所述襯底中形成淺溝槽隔離結構，其中所述密度屈從結構包括所述淺溝槽隔離結構。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括：

使用所述棋盤圖案在所述淺溝槽隔離結構的頂部形成多晶硅虛設柵極結構，其中所述密度屈從結構包括所述多晶硅虛設柵極結構。

7.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述保護環包括在所述襯底中形成淺溝槽隔離結構的條帶，其中所述密度屈從結構包括所述淺溝槽隔離結構。

8.根據權利要求7所述的方法，還包括：

在所述淺溝槽隔離結構的條帶的頂部形成多晶硅虛設柵極結構的條帶，其中所述密度屈從結構包括所述多晶硅虛設柵極結構。

9.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述保護環包括在所述襯底的頂部形成多晶硅虛設柵極結構，其中所述密度屈從結構包括所述多晶硅虛設柵極結構。

10.根據權利要求9所述的方法，其中形成所述多晶硅虛設柵極結構包括以條帶圖案形成所述多晶硅虛設柵極結構。

11.根據權利要求9所述的方法，其中形成所述多晶硅虛設柵極結構包括以棋盤圖案形成所述多晶硅虛設柵極結構。

12.一種集成電路，包括：

電路；以及

包圍所述電路的保護環，其中所述保護環包括多個虛設柵極結構。

13.根據權利要求12所述的集成電路，還包括：

位于所述多個虛設柵極結構下方的淺溝槽隔離結構。

14.根據權利要求13所述的集成電路，其中所述淺溝槽隔離結構和所述多個虛設柵極結構使用條帶圖案形成。

15.根據權利要求13所述的集成電路，其中所述淺溝槽隔離結構和所述多個虛設柵極結構使用棋盤圖案形成。

16.根據權利要求12所述的集成電路，其中所述多個虛設柵極結構包括多晶硅虛設柵極結構。

17.根據權利要求12所述的集成電路，還包括：

形成在襯底中在所述多個虛設柵極結構下方的淺溝槽隔離結構；

在不具有所述淺溝槽隔離結構的所述保護環的區域中形成的擴散區域；以及

形成在所述擴散區域上的金屬接觸，其中所述保護環包括第一摻雜類型的第一環形阱、與第一摻雜類型相反的第二摻雜類型的第二環形阱和第一摻雜類型的第三環形阱，以及其中所述第二環形阱夾在所述第一環形阱和所述第三環形阱之間。

18.一種從襯底形成的集成電路，包括：

保護環，所述保護環包括第一摻雜類型的第一環形阱、與第一摻雜類型相反的第二摻雜類型的第二環形阱和第一摻雜類型的第三環形阱，以及其中所述第二環形阱夾在所述第一環形阱和所述第三環形阱之間；

第一環形淺溝槽隔離結構，其夾在所述第一環形阱和所述第二環形阱之間；

第二環形淺溝槽隔離結構，其夾在所述第二環形阱和所述第三環形阱之間；以及

多個淺溝槽隔離結構，其形成在所述第一環形淺溝槽隔離結構和所述第二環形淺溝槽隔離結構之間的所述第二環形阱中。

19.根據權利要求18所述的集成電路，還包括在所述多個淺溝槽隔離結構上的多個多晶硅虛設柵極結構。

20.根據權利要求18所述的集成電路，還包括：

形成在所述第一環形阱和所述第三環形阱之間的附加的多個淺溝槽隔離結構和多晶硅虛設柵極結構。